Arizona State University.;
机译:AlGaN / GaN HEMT中AlGaN / GaN界面陷阱对负阈值电压偏移的作用
机译:Gan-Cappe AlGaN / GaN和Alinn / GaN Hemts电流电压特性的分析模型,包括热和自热效应
机译:使用优化的AlGaN / GaN界面生长工艺增强无AlN排除层的微波GaN HEMT的性能
机译:AlGaN / GaN HEMT的GaN-SiC接口热边界电阻基准测试:美国,欧洲和日本供应商
机译:分析影响ALGaN / GaN HEMT安全运行的故障机理。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
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