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淮永进; 韩郑生;
中国科学院微电子研究所;
超低压保护器件; 静电放电; 模拟; 复合型穿通结构; 瞬态电压抑制器;
机译:CMOS工艺中带有嵌入式ESD保护器件的2.4 GHz T / R开关的设计
机译:采用体浮技术在65 nm CMOS工艺中设计ESD保护器件
机译:FD-SOI技术中用于ESD保护的薄膜硅BIMOS器件的拓扑和设计研究
机译:基于0.18μmBCD工艺的RF芯片ESD保护用多晶硅栅DDSCR器件设计
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:采用130-nm CmOs工艺中的1 V / 2.5 V低压器件设计3.3 V I / O接口的电源轨EsD钳位电路
机译:计算机辅助设计技术在工艺,器件和电路设计中的应用。
机译:利用平面图设计保护集成电路免受ESD事件的静电放电(ESD)保护结构以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译:静电放电(ESD)保护结构,利用地板计划设计来保护集成电路不受ESD事件影响,以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译:用于设计半导体器件的ESD分析装置和ESD分析程序以及设计半导体器件的方法
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