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戴国瑞; 管玉国; 赵军; 南金;
吉林大学;
半导体材料; 半导体工艺; 钝化; 界面态密度;
机译:由AR或稀释远程氧等离子体CVD形成的SiO_2 / GaN界面的结构和特征
机译:通过N_2O等离子体氧化控制等离子体CVD SIO_2 / INAIN界面
机译:等离子体CVD技术制备纳米晶金/ DLC复合膜的表面等离子体特性
机译:N_2表面等离子体的N_2等离子体清洗改善了SiN_x:H / InP界面的C-V,DLTS和电导瞬态特性
机译:通过等离子体CVD控制氢化非晶硅膜和结构中的体积和界面特性。
机译:理解分泌型磷脂酶A2(PLA2)的界面活化:酶的膜表面特性和膜诱导的结构变化协同促进PLA2活化。
机译:通过电子回旋共振等离子体氧化在(100)si衬底上生长的薄(<10nm)siO(sub 2)膜的结构和界面特性。
机译:控制常压等离子体CVD淀积的微晶硅薄膜的结晶度的方法
机译:低温多晶硅薄膜的元件及其在低温下直接淀积的多晶硅薄膜的方法及其感应耦合等离子体化学气相淀积设备
机译:等离子体化学汽相淀积装置及采用该装置的化学汽相淀积方法及装置内部的清洗方法
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