GaSb晶片的(111)面化学腐蚀机制

摘要

本文研究了GaSb(111)晶片腐蚀速率随HNO_3/HF变化曲线,并在HNO_3和H_2O_2系液中、温度为3—84℃范围内作了腐蚀速率实验,其1nγ～1/T关系符合Arrhemius公式。计算了腐蚀活化能为ΔE_(HNO3)=ΔE_(E2O2)=3.2kcal/mol,这说明CaSb(111)晶片在这两种腐蚀液中腐蚀机制相同,即在HF(或HCl)过量情况下,腐蚀速率决定步骤为Sb^(-5)被氧化成Sb^(-3)。还测了相对速率差Δγ。