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4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究

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基于4H-SiC材料特性,建立了4H-SiC pn结型二极管的击穿模型.该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应.利用该模型,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响;解释了不同的温度和掺杂条件下,器件的击穿机理.该模型较好地反映了实际器件的击穿特性.

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来源
《物理学报》 |2003年第10期|2541-2546|共6页
作者
吕红亮; 张义门; 张玉明;
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作者单位

西安电子科技大学微电子所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子所,西安,710071;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
4H-SiC,二极管,击穿特性,隧穿效应,碰撞离化,模型;

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