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中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
量子阱激光器; 含锑; InP基; 微系统; InP衬底; 微米; 上海; 半导体激光器;
机译:基于InP的InAlAs变质缓冲层上的2.7μmInAs量子阱激光器
机译:1.3微米AlGaInAs-InP多量子阱激光器的设计与表征
机译:2-2.7μm单频可调谐锑基激光器,在室温下连续工作:微腔和外腔VCSEL,DFB
机译:ovel基于InP的高功率,高效率,单量子阱(SQW)有源区二极管激光器,发射功率为1.5微米。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:硅光子学混合单量子阱InP / Si纳米光束激光器
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物
机译:具有InAsP量子阱层和Gax(AIIN)1-xP势垒层的InP基高温激光器
机译:具有InAsP量子阱层和Gax(ALIn)1-xP势垒层的InP基高温激光器
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