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中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
量子阱; InGaAs材料; InP; 上海微系统; 航天遥感; 国际报道; 有源区; 光谱检测; 功能材料; 分子束外延生长;
机译:利用无铝材料系统的量子级联激光器:与InP晶格匹配的InGaAs / GaAsSb
机译:在兼容的通用基板上生长的高功率中红外II型量子阱激光器[InGaAs / InP]
机译:气体源分子束外延生长的室温2.2- / splμm/ m InAs-InGaAs-InP高应变多量子阱激光器
机译:铟组分依赖性阈值电流密度在紧张的IngaAs / Algaas量子阱激光器中
机译:脊形波导中红外铟镓砷锑锑量子阱激光器,采用脉冲阳极氧化刻蚀制成。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:用于量子阱的InGaas / Inp单光子探测器系统的研究进展 通讯
机译:有机金属气相外延生长的应变层InGaas(p)/ Inp量子阱半导体激光器
机译:具有高铟和低铝的量子阱激光器,具有减少陷阱的高阻挡层的高铝和低铟激光器
机译:应变层InP / InGaAs量子阱激光器
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