多层等离子体蚀刻技术的研究

摘要

干法刻蚀现已成为微小高深宽比结构加工与微细图形制作的重要手段。提出了一种新的干法刻蚀技术—多层等离子体蚀刻,充分利用腔体的空间布局,布置多层电极,并采用分层送气装置输送放电气体,实现多层同时进行刻蚀,可成倍提高产能。采用该技术刻蚀光阻为例,从空间与时间两个角度分析了工艺参数对刻蚀速率与均匀性的影响规律与作用机理。实验结果表明,极板间距为50/55/60mm(由下向上),工作压力为40 Pa,R[O2:Ar]为1/2,RF功率为600W时,整炉次刻蚀速率均值为14.395 nm/min,均匀性为9.8%,此时工艺最为合理。