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甘德昌;
无;
等离子体蚀刻; 高密度; 螺旋波; 多晶硅; 栅极;
机译:减少高密度等离子体多晶硅栅极蚀刻过程中由等离子体氧化引起的硅凹陷
机译:在基于HBr / O2的高密度等离子体的多晶硅/氧化物蚀刻中,HBr和氧对蚀刻选择性和蚀刻后轮廓的作用的研究
机译:在高密度等离子体中蚀刻多晶硅栅极期间的轮廓演变和纳米级线宽控制
机译:使用高密度等离子体室中的混合氟 - 氯化学蚀刻硅化物/多晶硅堆蚀刻
机译:用于电子材料蚀刻的高密度电子回旋共振和感应耦合等离子体源的比较:电子材料的新等离子体蚀刻方案。
机译:掺杂或量子点层作为使用反射各向异性光谱(RAS)的III / V半导体反应离子蚀刻(RIE)的原位蚀刻静止指示器
机译:多晶硅栅极蚀刻室的筛选实验
机译:用于监测氯 - 氦等离子体中多晶硅的等离子体蚀刻期间的蚀刻均匀性的光学诊断仪器。
机译:用于在等离子体蚀刻室内蚀刻多晶硅栅极结构的方式,用于在等离子体蚀刻室内部蚀刻多晶硅栅极结构,以及
机译:栅极和栅极电介质的集成等离子体蚀刻以及栅极蚀刻后的低功率等离子体蚀刻去除了高K残留
机译:电子开关的生产包括在基板上蚀刻沟槽区域,用多晶硅和二氧化硅填充,蚀刻,涂覆以形成平坦表面,沉积栅极导电层填充区域并进行蚀刻
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