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池振昊; 王海龙; 倪海桥; 牛智川;
山东省激光偏光与信息技术重点实验室 曲阜师范大学 物理系;
山东 曲阜 273165;
中国科学院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室;
北京 100089;
InAs/GaAs; 自组织量子点; 分子束外延; 通信波段;
机译:自组装的InAs / GaAs量子点被不同的应变减少层覆盖,在1.3和1.55μm波段中表现出较强的光致发光和电致发光
机译:在InGaAs / GaAs变质缓冲液上从MOVPE生长的InAs量子点以1.55μm的单光子发射
机译:GaAs衬底上具有InAs / InGaAsN量子点的异质结构在1.55μm的室温下进行光致发光
机译:将InGaAs和Gaassb变质缓冲层对GaAs底物进行了inaS量子点,其在1.55μm下发射
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:1.55 µm InAs / GaAs量子点和高重复率量子点SESAM锁模激光器
机译:多堆Inas / InGaas亚单层量子点红外光电探测器。
机译:具有梯度成分的GaAsSb层可降低InAs / GaAs量子点中的应力
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