外腔长度变化对外腔半导体激光器边模抑制比的影响

摘要

根据光纤光栅外腔半导体激光器（FBG-ECL）的等效腔模型,通过分析半导体激光器（LD）、外腔及光纤光栅（FG）三者的共同作用,利用光纤光栅外腔半导体激光器的相位条件确定FGESL的激光纵模分布,理论上研究了FGESL的边模抑制比（SMSR）随FG外腔长度的变化.结果表明:SMSR的大小跟外腔长度的选择有很大的关系,在其他参数相同的情况下,外腔长度的微小变化可以引起边模抑制比很大的波动.从总体上看,外腔较长时的比外腔较短时的边模抑制比要小;当外腔长度为8~11 mm时,光纤光栅半导体激光器有比较高的边模抑制比（SMSR＞40.8 dB）,并且边模抑制比随外腔长度的变化比较平稳.