注入电流对外腔半导体激光器边模抑制比的影响

摘要

考虑半导体激光器(SL)、光纤光栅外腔(FGE)二者的共同作用,在确定光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)的激光纵模分布后,利用 FGESL满足的多模速率方程,研究了注入电流对FGESL边模抑制比的影响.数值模拟的结果表明:FGESL的边模抑制比(SMSR)随注入电流的增大总体上呈现上升趋势,但其变化过程中有波动,在短外腔时尤其明显.