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樊进; 柯导明; 薛峰; 陈军宁;
安徽大学电子信息工程学院 合肥236061;
安徽三联学院信息与通信技术系 合肥230601;
高k栅介质MOSFET; Laplace方程; Gauss定理; 栅与源/漏寄生电容; 半解析模型;
机译:具有双材料底栅的高k栅叠层双材料三栅极应变无硅MOSFET的3-D解析模型,可抑制短沟道效应
机译:对凹入式e-SiGe源极/漏极进行工艺优化,以增强22 nm全高k /金属栅pMOSFET的性能
机译:针对16 nm高k /金属栅MOSFET的最佳源/漏重叠设计
机译:包含源极/漏极耗尽区的双栅隧穿MOSFET阈值电压的解析模型
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:用monte Carlo方法研究siC基mOsFET中电子输运特性的栅长和源漏偏差
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:用于非易失性信息存储的浮栅存储单元具有源/漏配置,具有两个源/漏区,允许通过两个公共源/漏区访问所有浮栅
机译:用作布置在半导体主体中的MOSFET或IGBT的半导体元件包括具有第一导电性的源极和漏极区域,布置在该源极和漏极区域之间的主体区域以及栅电极
机译:布置在用作MOSFET的半导体主体中的半导体组件包括源极区和漏极区,布置在源极区和漏极区之间的主体区以及通过电介质与主体绝缘的栅电极
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