射频反应磁控溅射法退火生长Na-N共掺杂p-ZnO薄膜

摘要

采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜.XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜.Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450 ℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为139.2 Ω·cm,迁移率为0.2 cm2·V-1·s-1,空穴浓度为2.5×1017 cm-3.XPS分析表明:Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在,N主要以N-H键的形式存在,其受主NO的作用不明显,但是否存在NaZn-NO受主复合体,还需进一步的研究.