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高丽丽; 李永峰; 徐莹; 张淼; 姚斌;
北华大学物理学院,吉林吉林132013;
吉林大学物理学院,吉林长春130012;
射频磁控溅射技术; N掺杂MgZnO薄膜; 氮流量比; 光电性能;
机译:N2 / Ar流量比工艺对LiPON薄膜锂电池结构和性能的增强
机译:N2 /(Ar + N2)流量比对直流反应溅射合成氮化锆薄膜的影响
机译:Ar / N2流量比对纳米ZrN / WN多层涂层结构和性能的影响
机译:N掺杂LaB6金属薄膜的Ar / N2等离子体溅射形成的高k LaBxNy栅极绝缘体及其在浮栅存储器中的应用
机译:宽带隙单倍铜矿三元合金MBE种植的MGZNO薄膜
机译:射频磁控溅射在不同N2 / Ar气体流量下生长的Zn3N2薄膜的XPS深度剖面分析
机译:厚度对MgZNO薄膜光催化性能的影响
机译:沉积过程中O2压力对射频溅射sn掺杂In2O3薄膜性能的影响。
机译:MN掺杂的基于PZT的压电薄膜形成组合物和MN掺杂的基于PZT的压电薄膜
机译:Mn PZT Mn PZT MN掺杂的PZT压电薄膜形成成分和MN掺杂的PZT压电薄膜组成
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