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高丽丽; 徐莹; 张淼; 姚斌;
北华大学物理学院,吉林吉林132013;
吉林大学物理学院,吉林长春130012;
MgZnO薄膜; N掺杂; 掺杂浓度; 光电性能;
机译:Sn掺杂对反应性蒸发IN4Se3薄膜光电性能的影响
机译:纳米晶体大小对薄,溶液铸造Sn掺杂In2O3薄膜光电性能的影响
机译:Sn掺杂对光伏应用反应蒸发ln_6Se_7薄膜光电性能的影响
机译:不同SN掺杂浓度下纳米结构Sn掺杂氧化锌薄膜的物理和电性能
机译:NaOH,热水和氨气氛热处理法处理的N掺杂TiO2的可见光诱导的光催化和抗菌活性
机译:低温处理的Sn掺杂In2O3薄膜的电性能:微观结构和氧含量的作用以及缺陷调制掺杂的潜力
机译:沉积过程中O2压力对射频溅射sn掺杂In2O3薄膜性能的影响。
机译:MN掺杂的基于PZT的压电薄膜形成组合物和MN掺杂的基于PZT的压电薄膜
机译:Mn PZT Mn PZT MN掺杂的PZT压电薄膜形成成分和MN掺杂的PZT压电薄膜组成
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