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MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器

         

摘要

利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255 nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10 V偏压下,器件的光响应峰值在250 nm,截止边为273 nm的MgZnO太阳盲光电探测器.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2008年第5期|865-868|共4页
  • 作者单位

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院,研究生院,北京,100049;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 O742.8;
  • 关键词

    MgZnO薄膜; 太阳盲光电探测器; 金属有机化学气相沉积;

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