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湿法刻蚀FI CD均一性的影响因素及提高刻蚀均一性的研究

         

摘要

随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究.首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响.其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善.通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5.通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著.

著录项

  • 来源
    《液晶与显示》 |2016年第1期|67-73|共7页
  • 作者单位

    北京京东方光电科技有限公司,北京100176;

    北京京东方光电科技有限公司,北京100176;

    北京京东方光电科技有限公司,北京100176;

    北京京东方光电科技有限公司,北京100176;

    北京京东方光电科技有限公司,北京100176;

    北京京东方光电科技有限公司,北京100176;

    北京京东方光电科技有限公司,北京100176;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    TFT-LCD; 湿法刻蚀; FI CD; 均一性;

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