TLP应力下gg-NMOS瞬态特性分析

摘要

采用TCAD Sentaurus模拟分析了gg-NMOS在TLP应力下的瞬态特性.包括NMOS的栅长,栅氧化层厚度,栅宽及TLP电流大小对ESD保护器件开启特性的影响.分析表明,器件栅长增加,栅氧变厚,栅宽变宽都使得漏端过冲电压增大,达到这一电压所需时间变长.对于相同上升时间的TLP脉冲,大电流则对应短的上升时间和高的过冲电压.该工作为以后高响应速度ESD保护器件设计提供依据和参考.