典型光电子器件辐射效应数值分析与试验模拟方法研究

摘要

选取Si太阳电池与线阵CCD器件,进行了光电器件辐射效应的数值分析与模拟试验方法研究.分析了光电器件电离效应和位移损伤机理,利用二维器件模拟软件MEDICI,模拟了1 MeV电子对n/p型硅太阳电池主要输出参数的影响,包括开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax.在一定范围内,计算结果与文献实验数据符合较好.建立了线阵CCD器件辐照效应离线测量系统.利用60Co γ源,进行了商用器件的总剂量效应试验,给出了暗电流信号和饱和电压信号的变化曲线.