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第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

召开年：2005
召开地：成都
出版时间：

主办单位：中国核学会;中国电子学会;中国工程物理研究院

会议文集：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集

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1.应用埋氧层注氮工艺对SIMOX SOI材料辐射加固的研究
- 郑中山;刘忠立;张国强;李宁;李国花;张恩霞;张正选;王曦
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：研究了埋氧层内注氮对SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)SOI(Silicon-on-Insulator)材料抗辐射性能的影响.实验采用Co-60源对由SIMOXSOI材料制作出的MOS电容进行辐照,并通过辐照前后高频C-V曲线的平带电压漂移,计算了平带时辐射产生的SiO2/Si界面处硅费米能级以上施主陷阱与界面附近氧化物空穴陷阱的密度之和.实验发现,应用离子注入工艺,将一定剂量的氮注入到SIMOX材料的埋氧层内能增强其抗辐射能力.但在注氮剂量一定的情况下,注氮所用的注入能量将会对SIMOX材料的辐射加固效果产生较为显著的影响.
2.运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应
- 陆妩;任迪远;郭旗;余学峰;艾尔肯
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文对几种不同类型(TTL、CMOS、JFET-Bi、MOS-Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100、10、1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示,不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:对双极运放电路来说,辐照剂量率越小,其损伤越大;而CMOS运放电路的实验结果则表明,CMOS器件对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;而JFET输入运放的实验结果则显示,不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的"后损伤"现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别.
3.MOSFET沟道热载流子与总剂量辐照感生界面态的差异模型及两种损伤的相互作用关系
- 任迪远;余学峰;艾尔肯;陆妩;张国强;郭旗;严荣良
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文对沟道热载子损伤和总剂量辐射损伤的相互作用关系进行了研究,并通过提出两种损伤方式产生界面态在能级分布上的差异模型,对两种损伤的相互作用机理进行了解释.
4.总剂量辐照后的商用MOS器件的抗老化和耐辐照特性研究
- 艾尔肯;余学峰;任迪远;郭旗;陆妩
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文研究了国产商用MOS器件CD4007电路经过60Coγ辐照后高温退火和反复辐照-退火情况下的阈电压、静态功耗电流随辐照累积剂量的关系,从而讨论了其抗老化和耐辐照特性.试验结果表明,一定累积剂量辐照后的商用MOS器件CD4007电路,即使其电参数有了较明显的退化,仍能保持相当高的抗老化特性并可以经受反复的辐照退火过程.
5.GaAs和Si高压太阳阵ESD评价试验及防护技术研究
- 李凯;王立;秦晓刚;柳青;买胜利;崔新宇;孙彦铮;苏彬
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：由于航天器充电引起静电放电导致高压、大功率太阳阵永久性损坏的事件在国外已进行了多次报道,并在实验室中得到证明.本文针对GaAs和Si高压太阳阵进行ESD地面评价试验,并对其静电放电特性进行了简要分析.通过试验结果提出了高压太阳阵抗ESD的几种防护技术.
6.CMOS器件脉冲总剂量损伤以及退火效应测试技术研究
- 罗尹虹;龚建成;姚志斌;郭红霞;张凤祁
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：对两套不同的测试系统,包括HP4156半导体参数自动化在线测试系统以及瞬时退火测试系统进行了详细的介绍,说明其工作原理和技术指标,并利用这两套系统对典型CMOS器件进行了脉冲后不同退火时间点的电流-电压曲线的快速采集,初步研究了脉冲后CMOS器件总剂量损伤以及瞬时退火效应的时间关联,为今后深入开展此项研究工作打下基础.
7.LSI抗辐射加固技术
- 张仲书;姜立娟
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文阐述了CMOS电路的辐射效应，介绍了LSI电路设计、工艺等方面的抗辐射加固技术,以及取得的一些科研成果.
8.一种新型ESD保护结构
- 陈桂梅;袁凯;许仲德
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：对于高速CMOSLSI'S电路,ESD(electrostaticdischarge)保护结构越来越受到人们的重视,已经设计和开发出许多保护结构.在这篇文章中主要介绍一种新型共同释放路线CDL(commondischargeline)结构,可以消除ESD保护器件对内部电路工作的影响.
9.氙离子发动机对GEO卫星表面充/放电效应的影响
- 蔡震波
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：氙离子发动机在GEO卫星上应用时,其工作时喷射出具有一定能量和密度的氙离子及电子,参与了通常由空间等离子体、表面材料二次电子、光生电子等对GEO卫星的表面充/放电过程,从而对卫星表面充/放电效应产生影响.本文对此影响进行分析,并探讨其设计要求.
10.空间带电粒子望远镜原理样机的研究
- 向宏文;吴中祥;朱文明;郁金南
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：空间存在这覆盖元素周期表中所有原子序数的离子以及电子,带电粒子有连续的能谱,能量范围从几eV、几百eV直到1022eV,因此用于空间辐射环境监测探测的仪器设计需考虑空间应用的特点,本文对采用△E1～E的方法设计的空间带电粒子望远镜的原理样设计和实验方面进行探讨.
11.CCD质子和γ射线辐照试验研究
- 于庆奎;唐民;朱恒静;王文炎;张延伟
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文分析了CCD电离辐射效应和位移辐射效应.用10MeV质子和钴60γ射线对CCD进行了辐照试验.分析比较了质子和γ射线辐照实验结果,得出质子辐照时CCD失效是电离效应和位移效应共同作用的结果.推断得出评估CCD空间辐射效应必须同时考虑位移效应和电离效应.
12.一种星用CMOS多功能电平交换器的研制
- 朱冬梅;孟华群;羊庆玲;胡永贵
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种全定制正向设计的星用CMOS多功能电平交换器,并对其工作原理、制作工艺、技术性能及可靠性设计等进行了简要描述.该产品具有功耗低(≤5mW),开关速度快(输出延迟加上升≤70ns),工作频率高(最高工作频率可达5MHz),14路输出一致性好等优点,可广泛用于雷达领域.其总剂量可达3×105rad(si)以上.
13.大规模集成电路中子和γ综合电离辐照效应探究
- 徐天容;杨怀民
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：CMOS工艺的大规模集成电路对电离辐射十分敏感,但综合辐照环境下的电离效应鲜有报道.通过对80C196KC和PSD501B1两种不同的芯片开展中子和γ综合电离辐照效应试验及研究,发现在反应堆中子、γ综合辐照环境下,CMOS工艺大规模集成电路的中子电离效应较弱,但总的静态电流增长受到抑制,经过分析相关变化因素,对该现象做出了初步解释.
14.高分子功能材料γ总剂量辐射效应实验研究
- 邹保山
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文对航空有机玻璃、工业有机玻璃和聚四氟乙烯材料进行了γ总剂量辐射效应研究.探讨了材料的电性能和力学性能随不同γ辐射剂量的变化特征.
15.国产加固型80C196KC20RHA单片机与Intel80C196KC20单片机抗γ总剂量性能比较
- 赵刚;詹峻岭;徐曦
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了国产加固型单片机80C196KC20RHA单片机与Intel同型单片机抗辐射性能的比较,通过试验表明该型号的国产单片机抗γ总剂量的能力在5.88×103Gy(Si)以上,远高于Intel同类产品.
16.空间用新型太阳电池抗辐照特性
- 杜永超;刘春明;韩志刚;刘汉英;秦美蓉;王景霄
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：为了满足航天器电源系统对太阳电池的不同要求,研制多种性能和多种结构的新型太阳电池是十分必要的.本文研制了GaAs(砷化镓)太阳电池、薄型BSFR硅太阳电池、绒面薄型BSFR硅太阳电池等新型空间用太阳电池,并将这些太阳电池与常规BSFR硅太阳电池和BSR硅太阳电池的电性能和抗辐照性能进行了比较,对试验结果进行了分析、讨论,总结了各种太阳电池优缺点,展望了各种太阳电池的空间应用前景.
17.大规模集成电路总剂量辐射损伤的参数表征
- 郭旗;任迪远;陆妩;余学峰;艾尔肯
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本工作进行了典型单片机电路800C196电路的总剂量辐射试验,研究了80C196电路的辐射损伤特性,典型失效模式和辐射敏感参数,并通过对CMOS器件总剂量辐射损伤的分析提出了大规模电路的辐射损伤参数表征方法.
18.空间材料与带电粒子相互作用的数值模拟分析
- 买胜利;王立;李凯;秦晓刚;翟厚明;牛小乐;柳青;马亚莉
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文简要描述了如何实现空间材料与带电粒子相互作用的数值模拟,并对一维静电模型的建立进行了相应的分析.
19.线阵CCD探测器的激光辐照效应研究
- 黄绍艳;唐本奇;张永生;张勇;王祖军;肖志刚
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文开展了532nm和650nm两种连续激光及500fs脉冲激光对东芝TCD1208AP型线阵CCD探测器的辐照效应实验研究.获得了连续激光辐照下的像元饱和阈值和局部受光辐照的CCD饱和阈值,也获得了500fs脉冲激光辐照下的像元饱和阈值及硬破坏阈值,并对实验现象进行了机理分析.
20.电子继电器的总剂量效应试验
- 杨生胜;牛小乐
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：继电器是常用的开关组件,随着控制精度的提高,电子继电器开始在空间应用.本文针对空间辐射环境可能对空间电子继电器的影响,采用地面模拟试验的方法,对165厂生产的电子继电器进行了摸底辐照试验,为设计生产提供了参考数据.
21.典型CMOS存储器总剂量辐照效应研究
- 吾勤之;陈植华;王晨
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文通过改变存储器辐照时施加的偏置状态(动态检测或不加电)和不同剂量辐照后的退火条件,在线测得EEPROM和FLASHROM存储器逻辑状态翻转随总剂量和辐照后退火条件的变化关系;给出了不同集成度SRAM和EEPROM存储器总剂量效应与集成度的关系;试验发现,EEPROM、FLASHROM在不同剂量辐照后,不同温度条件下退火出现了逻辑状态翻转异常现象的结果.这些结果对器件抗辐射加固评估技术研究有重要价值.
22.线阵CCD总剂量辐照效应离线测量系统设计
- 张勇;唐本奇;肖志刚;王祖军;黄芳;黄绍艳
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文建立了线阵CCD器件总剂量辐照效应离线测量系统,并利用该系统对一种商用线阵CCD进行了辐照效应研究,给出了暗电流输出电压信号和饱和电压信号的变化曲线.结果表明,该测量系统能够满足线阵CCD辐照试验要求.
23.基于CPLD的CCD通用驱动电路设计方法
- 张勇;唐本奇;肖志刚;王祖军;黄绍艳
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：建立CCD通用测试平台有助于系统研究各类CCD器件的辐射效应及损伤机理.本文探讨了一种基于CPLD的线阵CCD通用驱动电路设计方法与实现途径.利用MAX-PLUSⅡ开发系统,选用MAX7000S系列CPLD芯片,设计实现了核心驱动主控制器,用于读取外部存储器驱动文件,设置相关参数寄存器,并产生符合参数要求的驱动时序脉冲.在此方法的基础上,完成了基本驱动模块电路的设计.基本驱动模块电路输出波形的测试结果表明,这种设计方法是完全可行的.
24.典型光电子器件辐射效应理论与试验模拟方法初探
- 唐本奇;张勇;肖志刚;黄绍艳;王祖军;黄芳
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：在开展了Si太阳电池1MeV电子辐射效应的数值模拟计算、线阵CCD器件总剂量辐照效应模拟试验的基础上,本文对典型光电子器件辐射效应理论与试验模拟方法,进行了一般性的探索,归纳出了一些初步的规律和结论.为深入开展该方面研究,提供了技术基础.
25.国外电子元器件抗辐射加固技术发展综述
- 李继国
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：国外在电子元器件抗辐射加固技术的研究的范围与深度不断扩大发展.公开发表的文章,虽然以研究空间辐射效应及加固技术为主,但有关剂量率瞬态效应的研究也不少.可以看出:国外CMOSIC的抗辐射加固技术已趋于成熟;CMOS/SOIIC抗瞬态辐射效应的加固技术不断深入;利用商用工艺线研究CMOSIC的加固技术已成为研究的重点;另外分立器件和线性电路的SEE效应、光电器件的辐射效应及加固技术、MEMS的辐射效应及加固技术、封装及材料的加固技术,还有辐照试验方法及评定等,都进行了大量的研究.
26.'十五'星载计算机抗辐射加固技术研究
- 卫新国;章斌;樊友诚;秦晓强;盖建宁;朱新忠;陈明清
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：通过"九五"星载计算机抗辐射加固技术的研究和应用,采用了系统级抗辐射加固技术和软件抗单粒子翻转加固技术设计的FY-1C、D两颗气象卫星和两套星载计算机(含星载软件)目前均已在轨正常运行了五年和二年,星载计算机工作稳定正常,星载计算机中记录故障次数的遥测参数表明星载计算机没有发生故障(或成功的屏蔽了故障).
27.GaAs太阳电池1MeV电子辐射效应数值模拟
- 王祖军;唐本奇;黄绍艳;张勇;肖志刚;黄芳
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文简要介绍了太阳电池的基本工作原理和辐射损伤机理.利用二维半导体器件数值模拟软件MEDICI,模拟计算了1MeV高能电子在辐射通量范围为1×1013cm-2～1×1015cm-2时,对GaAs太阳电池主要输出参数(如开路电压Voc,短路电流Isc)的影响,并对计算结果进行了分析,计算结果与相关文献给出的实验数据吻合较好.
28.激光多普勒测振仪在炸药加载冲量测量中的应用
- 毛勇建;李春枝;王懋礼;刘新民;何颖波;何荣建;周擎;胡绍全;黄海莹
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：在采用炸药加载模拟锥壳结构遭受X射线辐照的结构响应实验中,利用激光多普勒测振仪测量了锥壳表面特征点的水平方向速度曲线.并从载荷的侧向余弦分布特点出发,推导了根据锥壳刚体运动的质心水平方向初速计算加载比冲量峰值的公式.同时根据锥壳表面的质点运动特征,提出了截取结构响应基本结束之后的曲线段进行算术平均,通过理论计算修正得到锥壳刚体运动的质心水平方向初速的数据处理方法.最后给出并分析了测量结果.结果表明:采用激光多普勒测振仪可以测量炸药加载下结构的刚体运动速度,从而可进一步计算分析结构受到的载荷大小,其精度可以满足工程测量的要求.
29.瞬态信号处理中的小波分析方法
- 周擎;邓宏见;杨侠
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文论述了小波分析的基本原理,应用Daubechies正交小波,设计了对信号按频率要求进行逐级分解与重构的小波计算程序,对典型信号进行了信噪分离.
30.模拟X光作用冲量的柔爆索爆炸加载载荷设计
- 邓宏见;周擎;田翠英
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：根据柔爆索滑移爆轰的物理特点,做出适当的假定,建立了锥壳结构柔爆索加载的设计理论,采用优化方法,推导了锥壳结构加载的柔爆索分布设计计算公式;编制了相应的计算程序,给出了数值算例.
31.基于CMOS器件的可见光成像系统γ射线辐照效应浅析
- 李志峰;张力
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文首先分析了成像系统在γ射线辐照下的干扰(损伤)机理,然后描述了可见光(CMOS器件)成像系统γ辐照试验现象和结果,最后对试验结果进行了定性的分析.
32.系统典型组件总剂量损伤效应和加固技术研究
- 崔帅;张力;曹雷团;刘生东;赵慧勐
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文设计了以80C196KC20为主的运算系统、以TS101为主的数字信号处理系统和直流稳压电源MAX756在钴源上不同工作状态的γ总剂量试验.初步研究发现处于不加电工作状态可以使80C196KC20单片机系统抗γ总剂量能力提高1个数量级以上;两种工作状态的TS101数字信号处理系统总剂量效应差别不大,稳压电源MAX756的抗总剂量辐射能力在104rad(Si)左右,为后续加固技术研究奠定了基础.
33.新型高灵敏度γ探测器
- 何宇新;付建德
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文研究一种新型的高灵敏度γ探测器技术,利用对γ射线敏感的特种半导体材料及双极器件的电流放大特性形成的二次光电流,满足探测器灵敏度和响应时间要求,研制出了一种高灵敏度γ探测器样品.
34.抑制体硅CMOS器件闭锁的新方法
- 许献国;北京邮电大学;徐曦;胡健栋
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文从体硅CMOS器件的闭锁效应入手,提出了抑制闭锁的一种新方法-伪闭锁路径法.在详细探讨了伪闭锁路径的设计方法后,文章还提供了设计实例,给出了仿真和试验结果.伪闭锁路径法能够较好抑制体硅CMOS器件的永久闭锁问题,但不能避免辐射引起的剂量率扰动.
35.'三径'闭锁窗口模型的实验研究
- 许献国;北京邮电大学;徐曦;胡健栋;赵汝清
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：在解释CMOS器件辐射感应的闭锁窗口现象时,提出了所谓的"三径"闭锁窗口模型.为了对该模型进行实验验证,本文设计了模拟CMOS器件寄生闭锁路径的实验电路.伽马射线辐照实验显示,实验电路象预计的那样出现了闭锁窗口.这说明,用"三径"模型解释某些闭锁窗口现象是合理的.
36.PIN探测器应用技术研究
- 赵洪超;施志贵;赵刚
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文简要分析了PIN探测器的工作原理,针对低工作偏压条件下低阈值γ瞬时辐射环境探测问题,重点进行了PIN探测器应用技术研究,最后给出了辐照试验结果数据.
37.瞬时辐射对80C31单片机性能的影响
- 周开明;谢泽元;杨有莉
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文研究了80C31单片机的闭锁电流随"闪光-1"伽玛射线剂量率变化的规律,分析了80C31单片机的闭锁电流特性,供单片机系统抗瞬时辐射加固研究参考.
38.电子器件不同脉宽γ剂量率效应研究
- 朱小锋;赵洪超;徐曦
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了电子器件的脉冲宽度效应基本原理,以及脉冲宽度与辐照响应的关系.在两种γ脉冲辐射源,脉冲宽度分别为:～20ns,～50ns,剂量率为106～10sGy(Si)/s下,对两种三端稳压器进行了辐照试验,对其辐照响应进行了分析,结论认为脉冲宽度是瞬时辐照效应的重要考察因素,γ脉冲宽度越宽,辐射存储时间越长,辐照响应越强.
39.计算装置γ瞬时辐照效应和加固技术初探
- 曹雷团;张力;崔帅
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文以80C196KC单片机为核心设计了计算装置,并在加速器上对其γ瞬时辐射效应进行了初步试验研究.初步掌握了其受瞬时辐射引起不同效应的损伤阈值范围,并对应用瞬时回避技术进行加固的途径进行了探索.
40.大规模集成电路芯片的X射线剂量增强效应
- 杨怀民
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.实验测量了N80C196KC20单片机芯片X射线辐射剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行了X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量约在165Gy(Si).芯片失效时工作电流发生快速增长.
41.场效应管X射线剂量增强的实验测量
- 牟维兵;徐曦
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置,以及实验测量的详细过程.得到了两种不同类型场效应管的辐照数据,根据实验数据计算了其剂量增强系数.剂量增强效应十分明显,IRF540场效应管在阈电压1.5V时相对剂量增强系数为16,IRF9530要小些,在阈电压为4V时相对剂量增强系数约7.5.
42.不同金属材料对不同能量X射线衰减系数的实验测量
- 陈盘训
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文简述三种厚度(0.2mm、0.5mm和1.0mm)四种金属材料(铝、铁、铜和钽)对不同能量X射线的屏蔽效果,也介绍了金属材料对X射线衰减系数的测量方法和测量结果.
43.导线X射线感生电流研究
- 邓建红;李小伟
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文对简化电缆的X辐照感生电流进行了解析估算,并在此基础上进行了硬X射线加速器上的导线感生电流试验,对X辐照环境下导线以及导线外屏蔽层感生的短路电流、开路电压分别进行了测量.试验结果与解析估算的结果比较接近.通过研究初步得到了实际型号导线在给定辐照环境下的感生电流电压数据,为进一步的效应研究和评估提供了基础.
44.存储器硬X射线损伤效应实验
- 郭红霞;韩福斌;陈雨生;罗剑辉;龚建成;谢亚宁;黄宇营;何伟;胡天斗
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文给出了大规模集成电路浮栅ROM、SRAM器件在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果;比较了其两种辐照源的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出其相同累积剂量时X光辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件X射线剂量增强因子,给出了集成度不同的SRAM(16k～4M)器件抗谢线总剂量损伤能力与集成度的关系;给出了不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值.
45.利用DBD开关开展脉冲压缩技术研究
- 陈洪斌;黄萍萍;杨周炳;周传明;孟凡宝;张运俭;胡林林;李爱萍;丁恩燕;陆巍;陈志刚;刘天文
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：为了开展高功率超宽谱技术研究,利用脉冲形成线原理和DBD(DelayedBreakdownDevices)开关的快速导通技术对SOS(SemiconductorOpeningSwitch)脉冲源输出波形进行脉冲压缩,得到较好的实验结果:将峰值功率450MW、脉冲宽度(FWFM)6ns的脉冲输出压缩到峰值功率～1GW、阻抗50Ω,脉冲宽度(FWFM)1.8ns、脉冲前沿(0.2-0.9)～0.9ns,运行重复频率2kHz.因此,对SOS脉冲源输出波形采用DBD开关进行压缩是实现高重复频率超宽谱源的行之有效的一条技术路线.
46.CMOS器件的抗辐射筛选技术研究
- 张力;余学峰;艾尔肯;郭旗;陆妩;任迪远
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文对电子元器件抗辐射能力的无损筛选法、预辐照筛选法和小剂量预辐照筛选法进行了较深入细致的研究,并对三种筛选法的优缺点进行了对比.研究结果表明,无损筛选法的有效性取决于初始性能(信息)参数的选择;预辐照筛选方法虽然有一定的准确性,但预辐照过程本身将不可避免地将给器件带来一部分无法通过用再退火的方法进行恢复的损伤,且预辐照累积剂量越大,这部分永久损伤越大;比较而言,小　剂量预辐照筛选法不但能保持筛选结果的高可靠性,而且其小剂量预辐照过程引入被筛选器件的损伤可以控制,对筛选对象的数量要求也比较低,是一种非常有潜力的元器件抗辐射能力筛选方法.
- CMOS器件;
- 辐照;
- 筛选;
- 损伤;
47.高空核电磁脉冲地面场强分布的数值研究
- 孟萃;陈雨生;陈向跃;刘顺坤
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文运用差分方法,开发了FORTRAN计算软件MCHⅡ,数值模拟了高空核爆炸时γ射线与周围空气分子相互作用散射的康普顿电子流在地磁场作用下激励电磁脉冲这一物理过程.数值研究了高空核电磁脉冲地面场强分布的特征,结论与IEC标准一致.
48.有界波电磁脉冲模拟器下短线缆效应的理论和实验研究
- 谢彦召;西北核技术研究所;孙蓓云;聂鑫;相辉;周辉;王群书;王赞基
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文研究有界波电磁脉冲模拟器下短线缆效应的理论建模和实验方法.基于传输线模型计算了线缆在有界波电磁脉冲模拟器辐照下的电流响应,进而建立了有界波电磁脉冲模拟试验环境,开展效应实验验证研究.对负载端的电流测量和理论计算结果,吻合得很好.这表明,应用改型有界波电磁脉冲模拟器开展短线缆效应实验在理论和实验上是可行的.这种线缆实验方法具有效应实验空间电磁场分布规范均匀、参数指标可控、监测技术成熟等优点.
49.80C196KC单片机电磁脉冲效应模拟实验研究
- 陈明;程引会;吴伟;李进玺;李宝忠
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文用电流注入模拟的方法研究Intel80C196KC单片机的电磁脉冲(EMP)效应,介绍了试验系统,给出了单片机输入端口、输出端口、电源端口等8种典型端口的EMP干扰效应和3种类型端口的损伤效应的试验数据和初步结论.
50.电磁脉冲对微控制器干扰特性的实验研究
- 张力群;石立华;谭坚文
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：实验研究了双指数电磁脉冲场对数字式微控制器形成干扰的特点,通过比较两种有不同波形参数的电磁脉冲在形成临界干扰时的异同,分析了不同的波形参数对干扰阈值的影响,进一步明确了电磁脉冲对微控制设备干扰的形成并不只是由干扰场的幅度指标决定,并通过多次实验确定了脉冲上升沿的陡度对干扰阈值的决定作用.
51.某特种多芯电缆屏蔽效能电流注入法测量
- 周启明;李小伟;黄聪顺
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了电缆屏蔽效能的电流注入测量方法和皮电流-芯电压耦合的等效电压源模型,给出了等效内阻的计算公式,根据电缆屏蔽效能的定义式,得出了注入法屏蔽效能的计算公式.给出了某特种多芯柔性电缆注入实验的屏蔽效能结果,分析了2002年辐射法某特种多芯电缆"屏蔽效能"计算方法出现错误的原因,并与重新计算的辐射法某特种多芯电缆屏效进行了比较.
52.小型多芯接插件电流注入法电磁脉冲耦合试验研究
- 罗学金
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了腔体内小型多芯接插件电流注入法EMP耦合试验,用于研究模拟核电磁脉冲对腔体内多芯接插件的耦合.详细给出了接插件芯线终端负载上的感应电压或电流随注入电压或外表面电流的变化关系.
53.HEMP对通信系统干扰和损伤效应研究
- 王江枫;吕永胜
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：HEMP对通信系统的前门耦合危害最大,其损伤方式与外场脉冲波形、能量和感应电流的波形、能量等诸多因素有关.本文通过对短波通信系统的试验,进行HEMP对通信系统的耦合及损伤方式的研究.
54.γ-HPM机理初探
- 周光镒;姜幼明
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文探讨了γ-Compton电子在腔体内形成虚阴级振荡产生高功率微波(HPM)的可能性,提出以核装置为球心的多层薄金属球壳腔作为γ-HPM转换装置,导出了γ-HPM转换效率公式,数值计算给出了圆柱形腔内γ-HPM的物理图象及转换效率.
55.80C31单片机系统的HPM效应
- 谢泽元;杨蓉;杨有莉
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了以80C31单片机芯片、2764EPROM、74LS373和0832D/A转换器及μA741组成的单片机系统在HPM辐射场下的损伤情况,给出了初步的试验结果.
56.高功率辐射模拟设备及其应用分析
- 蒯斌;西北核技术研究所;邱爱慈;西北核技术研究所;龚建成;刘顺坤
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：高功率辐射模拟设备是指在实验室条件下模拟强γ射线、X射线和电磁脉冲的大型脉冲功率装置.本文介绍了西北核技术研究所现有的晨光号、闪光二号、DPF-200和强光一号4台典型高功率辐射模拟设备的基本结构、特性和作用,阐述了这些设备近几年来在辐射效应研究中取得的应用成果.
57.GD74LS154译码器的UWB-EMP效应基础规律研究
- 杨蓉;谢泽元
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：超宽带电磁脉冲通过孔缝、电缆、天线耦合可以感应瞬态电压和电流,对系统的电子线路产生瞬态干扰或永久损伤.不同的元器件或电路对UWB-EMP瞬态感应信号的响应各异,但也有规律可寻.本文主要对GD74LS154译码器电路进行超宽带电磁脉冲损伤效应试验,研究超宽带电磁脉冲对电子元器件的损伤情况,对试验结果进行分析,对不同工作状态的波形变化规律进行研究.
58.超大规模集成电路的单粒子效应试验
- 苏秀娣;杨筱莉
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：空间环境下应用的微电子器件,都会产生单粒子效应.随着集成度的提高,它已成为发展长寿命、高可靠卫星和航天器的重大障碍.本文介绍超大规模集成电路L80C86CPU的锎源单粒子效应实验情况,以期找到解决加固的方向.
59.星载电子系统高能质子单粒子翻转率计算方法研究
- 薛玉雄;曹洲;杨世宇
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文对星载电子器件和集成电路空间高能质子单粒子翻转率计算方法进行了研究.系统地分析总结了十三种主要计算质子单粒子翻转率的方法.对模型的各种算法进行了分析研究,并对各种模型之间的相似性和差异性进行了比对分析.针对不同星用器件,计算了典型轨道上的质子单粒子翻转率,在此基础上,对各种模型的计算值进行比对分析.
60.空间高能质子单粒子翻转率计算软件应用
- 薛玉雄;曹洲;杨世宇
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文在对星载电子器件和集成电路空间高能质子单粒子翻转率计算方法研究的基础上,用VisualBasic语言编程,实现了星用电子器件高能质子单粒子翻转率计算模型软件化,为高能质子单粒子效应加固设计和验证评估提供技术依据.计算了几种典型轨道上的质子单粒子翻转率,在此基础上,分析了质子单粒子翻转率与空间轨道的关系,并对计算数值与在轨观测数值进行比对验证,为评价半导体器件抗单粒子效应的能力提供了依据.
61.单粒子锁定(SEL)及防护技术研究
- 杨世宇;曹洲
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：空间带电粒子诱发的单粒子锁定(SingleEventLatchup)现象一直是困扰CMOS器件在空间应用的一个难题.本文介绍了单粒子锁定现象的触发原理,并探讨了对于不同种类器件SEL现象的主要特征和探测方法.通过激光单粒子锁定实验研究测定出HM5611、HM6116的单粒子锁定大电流;并根据SEL的特点,研制成功抗单粒子锁定防护电路,能够自动探测和迅速解除单粒子锁定现象.
62.核爆X射线的大气传输计算
- 王同权;王尚武;郑毅
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文分析了核爆X射线的卫星探测中涉及的X射线源特征,建立了核爆X射线的大气传输及其衰减计算方法,计算得到了核爆X射线到达卫星探测器的能注量与斜径角、爆炸高度等关系曲线,为核爆X射线的卫星探测的探测器设计提供指导.
63.MOSFET的热载子损伤及其退火恢复
- 余学峰;艾尔肯;任迪远;张国强;陆妩;郭旗
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载子注入损伤实验,研究了MOSFET跨道、阈电压等参数随热载子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载子损伤在室温和高温(100℃)下的退火恢复进行了研究,并从该角度探讨了MOSFET热载子注入产生氧化物电荷和界面态的特性.上述研究使得本文对有关用户非常关心的国内一般常规工艺制作的器件是否具有及何种程度具有热载子损伤问题的疑问进行了初步回答,并为国内对MOS器件热载子损伤的进一步深入研究打下了一定的基础.
- MOSFET;
- 热载子;
- 损伤;
- 退火;
64.SEU的二维数值模拟
- 宋哲;王莉;陆剑侠;许仲德
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文阐述了单粒子效应原理和损伤机理,对MEDICI软件进行简要介绍.运用MEDICI软件分别对体硅和SOI(Silicon-on-insulation)衬底材料进行CMOSSRAM的SEU(single-eventupset)模拟实验,得出实验结果,并对实验结果进行分析,证明了SOI材料有良好的抗辐射加固特性,体现出SOI材料的优越性.
65.利用复合场介质提高场区抗辐射性能
- 高松;赵晓辉
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：辐照会引起MOS管阈值电压产生漂移,使场寄生管导通而引起漏电流增大.为此,我们希望找到一种方法能有效地降低辐照后场区正电荷累积,提高场区抗辐射性能,使辐照后电路漏电流增加值降低.这里我们采用氧化层与氮化硅复合场介质制造工艺,通过比较电路漏电流的变化来对比新工艺与常规加固工艺场氧层的抗电离辐射性能.文中给出了试验数据.研究结果表明,采用二氧化硅与氮化硅复合场介质能够有效的抑制辐照引起的漏电流增大,提高场区抗辐照性能,进而提高电路的抗辐射性能.
66.MEMS器件的辐照效应和加固技术研究现状
- 吕苗;李继国;吝海峰
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：随着微电子机械系统(MEMS)技术的发展及其在航天领域的应用,对MEMS器件辐照效应的研究逐渐深入,本文介绍了国际上的有关研究工作,主要包括SandiaLab.、NRL、JPL.、JPL&RSC、LosAlamosNationalLab.等七篇公开发表的论文,时间跨度从1996年到2003年底,主要介绍了相关试验结果和辐照机理分析、加固技术的探索等,并预测了下一阶段的研究方向.
67.弹用双极型运放的辐照加固技术
- 李勇峰
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：随着航天飞行器、战略武器和拦截武器的发展,为了提高武器的突防能力,保证武器系统长期可靠的准确击中目标,对系统中的核心部件--电子元器件的性能和可靠性指标越来越严,其中辐照加固指标就是一个至关重要的指标.长期以来,弹用双极型运放的抗中子能力一直是困扰系统的问题,极大地制约着双极型运放的使用,本文成功的研制出辐照加固双极型双电源双运放、四运放,有效地解决了运算放大器电参数与辐照加固指标之间矛盾,对双极型运放的辐照加固进行了一次尝试.此外,文中还给出了器件辐照前后电参数的测试结果.
68.用三五族化合物材料制备高灵敏度γ射线探测元件
- 吕云安;徐永强
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了用砷化镓、磷化铟三五族化合物半导体作为制作高灵敏度γ射线探测元件的材料的辐照实验结果.以及用该材料制成的电阻型γ射线探测元件用于GaAs电子开关的自触发电路和补偿电路中以及高灵敏度γ探测器中所获得的良好的效果.
69.反熔丝FPGA电路γ瞬时辐射效应研究
- 杜川华;詹峻岭;余军红;徐曦
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文简要叙述了基于反熔丝的现场可编程门阵列(FPGA)的基本结构,介绍了瞬态电离辐射效应的基本原理以及FPGA延时电路的工作原理,给出了该电路在"强光一号"加速器上的γ瞬时辐照效应测量结果.分析表明γ瞬时辐射会破坏FPGA延时电路一个信号周期的工作状态,因此存在功能失效的可能性.
70.BM2801MC时序控制器电路γ瞬时效应试验研究
- 余彦胤;詹峻岭
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了BM2801MC时序控制器电路加电工作时,在γ剂量率辐照下出现的闭锁效应,结果表明,BM2801MC时序控制器电路受瞬时辐射的闭锁阈值为106Gy(Si)/s量级.
71.ADSP-TS101S γ瞬时辐射效应初步试验研究
- 刘生东;张力;崔帅
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文从数字电路瞬时电离辐射损伤机理分析入手,围绕数字信号处理芯片ADSP-TS101S设计了一个最小系统,主要测试TS101S在γ射线瞬时辐射环境下工作的稳定性和可靠性,经过初步试验研究,对TS101S的瞬时电离辐照效应有了基本的了解,为以后进一步研究工作奠定了基础.
72.同轴电缆X射线注入电流的理论计算
- 李进玺;周辉
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文利用蒙特卡罗方法计算了X射线以不同角度照射电缆时,电缆各层材料上的沉积电荷分布,采用两种方法计算得到了电缆芯线的注入电流,计算结果较为一致.
73.单极测量天线的数值模拟与解析分析
- 程引会;吴伟;陈明;周辉;乔登江
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文用负载细导线算法对单极天线进行了数值计算,计算结果与解析分析结果进行了比较,证明该数值方法可以用来对电磁脉冲测量中的单极天线的特性进行分析,数值方法的优越性在于可以直接得到解析方法不能得到的天线完整的频率特性.
74.解析电流密度模拟内电磁脉冲
- 程引会;李宝忠;周辉;李进玺;乔登江
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文给出了两种极端情况下内电磁脉冲的电流源时空分布解析公式,利用该公式数值计算了圆柱腔体内部圆柱轴向电场分布,并与粒子模拟的结果进行了比较,结果吻合的较好.说明给出的两个电流密度公式可以用来进行内电磁脉冲环境场规律研究.
75.在水平接地体上附加垂直接地体对冲击接地阻抗的影响分析
- 陈加清;周璧华;贺宏兵
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：为研究接地装置的脉冲泄流效果,本文采用时域有限差分法对脉冲电流泄流情况下的水平接地体在附加不同数量的垂直接地体后的接地阻抗进行了数值分析,得出了相应的冲击接地阻抗(TGR)时域特性.计算结果表明:在水平接地体上附加垂直接地体可降低接地体的TGR,在垂直接地体间距大于两倍垂直接地体长度情况下,TGR随垂直接地体根数增加而减小;接地体的TGR有一动态变化过程,需经一段时间的波动后才趋于稳定;在接地体总长度相等的情况下,附加较多根短垂直接地体也可获得与附加较少根长垂直接地体相同的降低TGR的效果,这在工程实践中具有十分重要的指导意义.
76.特种九芯电缆传输函数的求取
- 周启明;邓建红
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文以九芯电缆为例,将电流注入法时域测量和理论分析相结合研究传输函数的求法.Matlab计算结果表明,已基本解决了电缆传输函数的求解问题.为进一步研究辐射法与电流注入法的等效关系打下基础.
77.半导体器件反向器电流注入法EMP耦合效应
- 李小伟
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文利用局部耦合法对半导体器件反向器进行EMP耦合效应研究,重点在电磁场环境下,半导体器件瞬时失效及瞬时扰动.
78.火工品内电磁脉冲试验研究
- 许献国;中物院;周美林;中物院;邓建红;罗学金;杨有莉
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了两种电流引爆型火工品的内电磁脉冲试验.通过试验,得到了不同场强下内电磁脉冲在火工品模拟件上的感应电压和感应电流信号.火工品正式件的安全性考核试验表明,在高达50kV/m场强下,两种火工品均未发生爆炸,说明两种火工品的抗内电磁脉冲能力是相当强的.
79.弹载计算机典型输入接口抗NEMP加固设计
- 朱友忠;林金永;项宗友
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了弹载计算机一种典型输入接口的抗NEMP加固设计方案,采用了衰减滤波、旁路、保护等硬件加固措施和软件加固方法.尤其是通过仿真,采用感知机算法,解决了NEMP不能向核心功能电路深透的问题,实现了输入接口电路的抗NEMP加固,为开发新一代具备抗EMP能力的弹载电子产品设计提供技术借鉴.
80.小型通讯控制系统超宽带微波效应研究
- 蔡武川;马弘舸;陈琅轩;李科;曹学军;陈冀;冯仕云
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：某小型通讯控制系统是一种民用通讯系统,其在应付突发事件(如自然灾害)中,起着重要的通讯指挥的作用.本实验的目的是研究小型通讯控制系统在超宽带微波环境下的生存能力,找出该系统的薄弱环节,得到系统或部件的干扰、损伤阈值,进而研究高能微波对小型指挥控制系统的作用机理及抗微波加固技术.
81.超宽带电磁脉冲在建筑物内部传播数值计算
- 曹学军;马弘舸;王艳;蔡武川
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文应用两种电磁场时域计算方法,对超宽带电磁脉冲在建筑物内部的传播过程进行了数值模拟.在超宽带电磁脉冲的照射下,经计算可得建筑物内部电磁场场分布,以及某几个空间位置的时域变化波形.分析研究建筑内各位置墙体对电磁传播的影响,电磁场能量可能集中的空间位置.这对于高功率微波电磁传播通道研究及相关室内通讯电磁传播路径研究具有参考价值.
82.SOI寄生结构引起的辐射效应及加固措施
- 刘忠立
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文以SIMOX(离子注入氧隔离)技术形成的SOI工艺为主,分析其寄生结构对CMOS辐射特性的影响,并介绍在相应辐射环境下的加固措施.
83.改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性
- 刘忠立;李宁;高见头;于芳
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文利用注硅固相外延的方法对0.2μmSOS薄硅膜材料进行改性,制作了单管PMOSFET、NMOSFET及54HC04电路,测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μmSOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力,并且其抗总剂量辐射能力也达到了很高的水平.
84.4H-SiC肖特基二极管抗辐射特性的研究
- 宁瑾;刘忠立;孙国胜;高见头
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文讨论了高电压4H-SiC肖特基二极管的辐射效应,制备出肖特基接触金属为Ti金属的二极管,并对其抗总剂量辐照特性进行了研究.样品在经过1×106rad(Si)总剂量辐照以后,直流I-V特性没有明显变化,C-V特性稍有变化,因此,所制备的4H-SiC肖特基二极管具有良好的抗总剂量辐照特性,可以应用在极端恶劣的军事或空间环境中.
85.光纤通信系统中光源器件的总剂量效应研究
- 杨生胜;秦晓刚;牛小乐
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了光纤通信系统中的光源器件(发光二极管、激光二极管)在Co-60γ射线辐照下的总剂量效应试验研究,通过对不同剂量辐照情况下器件的性能参数变化曲线进行了测试,分析了在Co-60γ射线辐照下器件的辐射效应.
86.硅微加速度计的辐射效应及加固技术
- 单光宝;耿增建;阮晓明
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：硅微加速度计在辐照情况下输出电压会发生漂移,甚至出现失效模态.文中介绍了硅微加速度计的辐射效应及损伤机理,并给出了辐射剂量对加速度计输出电压影响的关系式;在文章最后介绍了硅微加速度计的抗辐射加固方法.
87.卫星在轨带电研究
- 朱文明
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：卫星在轨工作时,尤其是地球同步轨道(GEO)卫星,因空间热等离子体,使卫星相邻表面不等量的带负电位至数千伏,当其超过材料绝缘强度时,发生不同于地面静电放电的卫星表面间静电放电(SESD),产生电磁脉冲(EMP),通过缝隙等的进入星体内部电子设备中,引起伪指令,严重者造成设备功能受损.一定能量的电子会穿透卫星壳体,电子在介质材料内部的积累产生一定的电位,引起材料自发的击穿对卫星造成一定的危害.静电放电引起卫星工作的异常.本文简述卫星在轨带电原因及其危害,与设计分析和防护技术等.
88.双路输出LDO的抗总剂量加固技术研究
- 胡永贵;高伟;朱冬梅
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种星用CMOS双路输出LDO的研制.在电路设计上,采用PMOS管作为调整管、E/DNMOS基准,在工艺上,采用开发的1.5μm硅栅自对准CMOS加固工艺.该低压差电源具有:输出电流1A、压差为0.5V的3.3V固定输出;输出电流1A、输出电压为1.5V～6V的可调输出;静态电源电流小于200μA,其总剂量水平可达3×105rad(Si)以上.
89.一种星用抗辐射加固大电流PIN驱动器的设计考虑
- 江军;谭开洲;许云
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种星用大电流PIN驱动器的抗辐射设计,主要考虑了氧化层中的电荷对硅表面导电性能改变所造成对电路的影响,通过摸底试验验证,经过电路版图和工艺的优化设计,电路抗辐射总剂量可望达到107rad(Si).
90.超短脉冲激光对CCD探测器的破坏效应研究
- 黄绍艳;唐本奇;张永生;张勇;肖志刚;王祖军
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文开展了500fs超短脉冲激光辐照线阵CCD探测器局部的效应实验,实现了两种辐照能量密度下的硬破坏;并从超短脉冲激光与探测器材料作用的微观机制出发,探讨了超短脉冲激光对CCD探测器的两种破坏机制,并推导出了相应的阈值能量.
91.CMOS SRAM辐射性能评估技术研究
- 高颖;王于辉;崔占东
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种CMOS静态存储器加固性能评估技术.选择日立公司HM6116型COMSSRAM作为实验样品,选择输出线上升沿延迟时间TD(rise)、输出线下降沿延迟时间TD(fall)、输出低电平VOL等多个能反映器件抗辐射性能的参数作为信息参数,通过对HM6116型CMOS存储器进行不同剂量的γ辐照试验,根据试验数据得出CMOS存储器的辐射敏感参数与上述信息参数之间的对应关系,排除相关性较差的信息参数,确定了输出线上升沿延迟时间TD(rise)、输出线下降沿延迟时间TD(fall)、输出低电平VOL作为主要信息参数,并通过计算机拟合得出相关曲线及预估方程,从而计算出相应的抗辐射性能参数,并通过实验得到了初步验证.
92.SEM应用技术研究
- 王嵩宇;魏德义;高松;赵晓辉;许仲德
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：随着SEM的广泛应用，我们实现了对超大规模集成电路微观结构的测试。本文针对抗辐射加固工艺的需要,介绍了利用扫描电子显微镜分析问题的方法.
93.碳纤维复合材料内带电研究
- 秦晓刚;翟厚明;王立;买胜利;马亚莉
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文主要论述了复合材料内带电对各种卫星和飞行器的影响和危害,着重讨论了与环氧/碳纤维复合材料内带电有关的重要的三个参数即放电阈值、材料的电导率和辐射诱导率对环氧/碳纤维复合材料的带电性能的影响.
94.高速DSP的PCB抗干扰设计技术
- 袁国火;中国工程物理研究院;董秀成;徐曦
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文简要介绍了DSPS高速TMS320C6000系列器件,叙述了传输线的效应,着重阐述DSPS高速数字电路设计在PCB中的技术.
95.美国全球军事战略中的抗辐射加固技术
- 周辉
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：根据美国全球军事战略中新型核武器和空间作战的发展趋势,分析了美国战略武器系统在核环境中作战的要求和保证实现抗辐射加固能力所采取的一系列重要战略措施,提出在小型化核武器的拦截和打击作战环境中,战略武器系统、军事空间系统和常规高技术武器抗辐射加固的重要性和必然性.
96.高功率超宽带电磁学
- 景涛
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文提出了高功率超宽带电磁学新兴学科概念,论述了其基本涵义,叙述了发展概况及其形成边缘学科:给出了主要性质和研究方法以及研究内容,介绍了发射技术,最后浅谈了它的效应以及应用情况.
97.两种商用三端稳压器中子辐射特性实验研究
- 杨有莉;贾温海
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文简要地介绍了系统用商用三端稳压器中子辐射试验的原理、方法和主要结果.重点给出了不同生产厂生产的同批次器件抗中子辐射的能力.实验结果指出:所选不同生产厂生产的商用器件抗中子辐射的能力不大于2.4×1013n/cm2;不同生产厂生产的同种器件抗中子辐射能力约有1倍的差别;采用本文提出的实验方法可以为有中低抗辐射要求的电子系统选择满足要求的三端稳压器.
98.单片机系统γ电离总剂量辐射效应试验研究
- 詹峻岭
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大约只有不加电状态下的1/5强.
99.一种抗辐射加固小功率开关电源的设计
- 余海生;赵锡钧;胡彦彬;樊川;曹光明;张小林
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种隔离型抗辐射加固小功率开关电源的设计,重点介绍了控制器的抗中子、抗总剂量措施和变压器的设计.辐照测试结果证明了设计的正确性.
100.小型化抗辐射光电耦合固体继电器
- 武喜龙;赵润
- 《第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2005年
摘要：本文从材料、器件设计、电路设计以及工艺等方面提出了改进光电耦合固体继电器抗辐射性能的建议,通过上述各方面的改进,制作出了性能优异的小型化表面贴装形式的光电耦合固体继电器,其抗辐射(中子及γ总剂量)性能达到国外同类产品水平.