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谢飞; 臧航; 刘方; 何欢; 廖文龙; 黄煜;
西安交通大学核科学与技术学院 西安 710049;
Geant4; 氮化镓; 初级反冲原子能谱; 中子辐照效应;
机译:在300-500摄氏度下升高氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)升温等离子体
机译:质子诱导的位移损伤对射频功率放大器中氮化镓HEMT的影响
机译:氮化镓氮化镓,碳化硅SiC和明天的氮化镓氮化镓,碳化硅SiC和未来的车辆全文
机译:存在环境变化时快速中子辐照对多种氮化镓(GaN)器件可靠性的影响
机译:氮化铝镓/氮化镓双通道HFET及其在不同基板上的氮化镓器件的实现
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:在电势控制下,深共晶电解质中氮化镓/氧氮化镓的环境温度沉积(第52卷,第6407页,2016年)
机译:用6到10-meV中子辐照的硅中的位移损伤。
机译:复合半导体元件的损伤评估方法,复合半导体元件的生产方法,氮化镓复合半导体元件和氮化镓复合半导体膜
机译:化合物半导体部件的损伤评价方法,化合物半导体部件的制造方法,氮化镓化合物半导体部件和氮化镓化合物半导体膜
机译:复合半导体元件成员的损伤评估方法,复合半导体元件成员的生产方法,基于氮化镓的复合半导体成员和基于氮化镓的复合半导体膜
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