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牛智川; 周增圻; 林耀望; 李新峰; 张益; 胡雄伟; 吕振东; 袁之良; 徐仲英;
中国科学院半导体研究所;
量子线; 分子束外延; 半导体; InGaAs; 砷化镓;
机译:预构图非平面衬底上GaAs脊量子线的选择性分子束外延生长的动力学和建模
机译:原子氢辅助选择性分子束外延生长的InGaAs脊量子线的形貌和线宽的控制
机译:由气源分子束外延生长的AlInGaAs / InGaAs / InAs应变补偿三角量子阱的优化,用于2.1-2.4微米范围的激光应用
机译:分子束外延在非平面衬底上生长的应变InGaAs脊量子线结构
机译:通过分子束外延生长在非平面图案化砷化镓(001)衬底上进行无应变和应变半导体纳米结构的制造。
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:预构图非平面衬底上GaAs脊量子线的选择性分子束外延生长的生长动力学和建模
机译:通过分子束外延生长的应变松弛InGaas缓冲层,用于1.3(μm)法布里 - 珀罗光调制器
机译:InGaAs-利用液滴外延生长的InGaAs量子点环结构及其制造方法
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
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