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刘红; 陈将伟;
南京大学物理系,南京,210093;
纳米碳管; 缺陷; 异质结; 局域电子态密度;
机译:α-Ir_2O_3/α-Ga_2O_3pn异质结二极管的电学性质和异质结构的能带排列
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机译:双面a-Si:H / c-Si异质结太阳能电池用不同厚度的ZnO:B薄膜的结构,光学和电学性质
机译:热退火的p-GaAs / n-Si异质结的电学性质及其对GaAs-Si异质结双极晶体管的影响
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机译:有机多异质结:有机多异质结中界面能的启示(Adv。Sci。4/2017)
机译:基于新的噻唑衍生物(2-硫代-3-正 - (2-甲氧基苯基)噻唑烷-4-酮)作为电子给体的平面多异质结有机太阳能电池的光学吸收和电学性质之间的最佳折衷
机译:异质结构单晶硅光伏电池:扩展。 a型,半导体异质结硅器件。最终报告,1978年5月15日 - 1978年8月10日
机译:制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
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