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宋杰; 沈波; 许福军; 苗振林; 黄森; 鲁麟; 杨志坚; 张国义;
中国物理学会;
电学性质; 异质结; 二维电子气; 迁移率;
机译:AlN,GaN,AlxGa1-xN纳米管和GaN / AlxGa1-xN纳米管异质结
机译:插入在两个AlN层之间的GaN厚度对晶格匹配的AlInN / AlN / GaN / AlN / GaN双通道异质结构的输运性能的影响
机译:通过外延层应力工程提高AlN / GaN / AlN双异质结高电子迁移率晶体管中的2D电子迁移率
机译:通过在发射极结处插入超薄AIN层来改善GaN / SiC异质结双极晶体管的电流增益
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:厚度取决于在c面GaN上沉积的原子层中AlN的界面和电学性质
机译:(111)取向硅上生长的六方GaN,alN和alxGa1-xN的微拉曼散射:裂纹的应力映射
机译:生产c面取向的GaN或AlxGa1-xN衬底的方法和使用c面取向的GaN或AlxGa1-xN衬底的方法
机译:具有3nm至10nm平均膜厚的ALN缓冲层的半导体异质结器件
机译:形成主缓冲层和AlN缓冲层的方法,以及GaN单晶膜和GaN单晶膜的形成方法
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