退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
张志锋; 张鹤鸣; 胡辉勇; 宣荣喜; 宋建军;
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
应变硅; 阈值电压; 电势分布; 反型层;
机译:温度和沟道掺杂对NMOSFET BSIM3阈值电压模型的影响,取决于衬底偏置方法
机译:具有中心电荷的渐变沟道双材料双栅极应变Si MOSFET的基于中心电势的阈值电压模型
机译:体应变硅NMOSFET的阈值电压模型
机译:应变Si /应变Si_(1-x)Ge_x / RelaxD Si_(1-Y)Ge_y PMOSFET的分析阈值电压模型
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:si注入应变siGe合金层中的非晶化阈值
机译:在应变SiGe上具有应变硅沟道的沟道MOSFET
机译:在NMOS沟道上具有应变SiGe鳍和应变Si覆层的CMOS FinFET器件
机译:利用激光退火形成应变Si沟道和Si 1-x Sub> Ge x Sub>源极/漏极结构
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。