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李志;
西安电子科技大学;
硅基锗沟道; MOS器件; MOSFET实验; 阈值电压; 模型计算;
机译:没有Si盖层的SiGe沟道pMOSFET的阈值电压模型
机译:具有中心电荷的渐变沟道双材料双栅极应变Si MOSFET的基于中心电势的阈值电压模型
机译:温度和沟道掺杂对NMOSFET BSIM3阈值电压模型的影响,取决于衬底偏置方法
机译:没有Si覆盖层的SiGe沟道pMOSFET的阈值电压模型
机译:单通道压缩应变下具有沟道的p沟道MOSFET的凹陷硅锗结参数优化研究。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:减小150纳米以下沟道长度si mOsFET的沟道热电子产生的基极电流
机译:具有SiGe / Si沟道结构的沟道功率MOSFET
机译:具有SiGe / Si沟道结构的功率沟道MOSFET
机译:在应变SiGe上具有应变硅沟道的沟道MOSFET
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