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肖舒; 吴忠振; 崔岁寒; 刘亮亮; 郑博聪; 林海; 傅劲裕; 田修波; 潘锋;
北京大学深圳研究生院新材料学院,深圳518055;
香港城市大学物理与材料科学系,香港999077;
高功率脉冲磁控溅射; 筒形溅射源; 模拟仿真; 放电特性;
机译:一种有效的证据和测量高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)的金属离子部分用PT,AU,Pd和混合靶标测量高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)
机译:高功率脉冲不平衡磁控溅射的放电性能%高功率脉冲不平衡磁控溅射的放电性能
机译:开发用于高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)的脉冲电源,该电源最适合用于医疗用途的类金刚石碳(DLC)膜形成
机译:基于调制脉冲功率磁控溅射技术的团簇离子源开发
机译:用于互连金属化的高功率脉冲磁控溅射和调制脉冲功率溅射的比较。
机译:高功率脉冲磁控溅射
机译:通过使用一氧化二氮作为单源前体的反应性高功率脉冲磁控溅射沉积的氮氧化硅膜
机译:开发1微秒脉冲长度,重复脉冲,高功率调制器和长脉冲电子束二极管,用于产生强烈的微波。
机译:高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)的闪频抑制和脉冲
机译:SP3高功率脉冲磁控溅射工艺,可实现高密度,高SP3含量的层
机译:实现高密度,高SP3含量的高功率脉冲磁控溅射工艺
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