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InGaAsP/InP激光器中的载流子泄漏及其阈值电流与温度的关系

         

摘要

利用一种新的激光—三极管对InGaAsP/InP双异质结激光器中的电子和空穴泄漏电流,首次进行了直接测量。表明在激光器正常运转条件下,存在着明显的电子泄漏,而空穴泄漏却小到可以忽略。电子泄漏电流随总注入电流的增大而迅速增大,并对温度敏感。如果能防止电子泄漏,则激光器的特征温度T0可提高约30K。本文考虑到漂移电场及热载流子效应而提出的理论模型可解释实验事实。据此设计并制作了一种具有低阈值电流(20mA)及高特征温度(90K)的新结构激光器。

著录项

  • 来源
    《电子学报》 |1985年第1期|65-71|共7页
  • 作者

    陈倜嵘;

  • 作者单位

    成都电讯工程学院;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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