University of California, Irvine.;
机译:用于低功耗的65 nm CMOS技术中使用数据感知(DA)SRAM单元实现存储阵列的外围电路设计
机译:低功耗工艺,电压和温度(PVT)变化可感知6T SRAM单元上改进的隧道FET
机译:低功耗,电压和温度(PVT)变化意识到在6T SRAM单元上的改进的隧道FET
机译:一种新的灵敏度驱动工艺变化感知自修复低功耗SRAM设计
机译:用于高速缓存设计的低功耗SRAM单元和体系结构。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:用于超低功耗的CAD和电路技术,变异敏感SRAM设计