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郑敏;
鄂州大学,电子与信息工程系,湖北,鄂州,436000;
微型计算机; 掉电数据保护; SRAM; 加速放电;
机译:集成SRAM存储器的设计规则,可抑制sub-nrn-CMOS技术中的多位错误
机译:在0.25毫米硅技术的关联存储器应用中使用的CMOS电路中的设计比率存储器细胞神经网络(RMCNN)
机译:单端28-NM CMOS 6T SRAM设计,具有读取辅助路径和PDP还原电路
机译:存储器:用于门阵列应用的分散型CMOS SRAM编译器
机译:纳米CMOS中用于SRAM优化设计的电路和CAD解决方案。
机译:用于CMOS /纳米级忆阻器协同设计的小面积紧凑型CMOS仿真器电路
机译:设计比 - 存储器蜂窝神经网络(RMCNN)在CMOS电路中用于0.25mm硅技术的关联存储器应用
机译:16 K CmOs(互补金属氧化物半导体)sRam(静态随机存取存储器)的单事件翻转率估计
机译:使用双重绝缘栅场晶体管的MOS晶体管电路和CMOS晶体管电路,SRAM单元电路,CMOS-SRAM单元电路,使用该集成电路的集成电路
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