新型具有多晶硅耐压层的横向功率器件的研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 功率半导体器件的发展

1.2 横向功率半导体器件简述

1.3 本文的主要工作

第二章 横向耐压区优化和SOI技术

2.1 结终端技术

2.2 RESURF技术

2.3 SOI技术

2.4 本章小结

第三章 横向双扩散场效应晶体管的研究

3.1 在漂移区中引入积累层载流子的LDMOS

3.2 一种具有多晶硅耐压层的LDMOS的研究

3.3 本章小结

第四章 逆导型横向绝缘栅双极晶体管的研究

4.1 RC-LIGBT的工作原理

4.2 一种具有多晶硅耐压层的新型RC-LIGBT

4.3 本章小结

第五章 结论与展望

5.1 结论

5.2 工作展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间获得的成果