掺氮直拉单晶硅中氧沉淀及其诱生缺陷的行为研究

摘要

近年来的研究表明，在直拉单晶硅(Czochralskisilicon，CZ-Si)中掺氮可以用于调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，同时，掺氮直拉单晶硅(NCZ-Si)中的缺陷也得到了深入的研究。本论文结合FTIR、TEM、SRP、EBIC和光学显微镜等测试分析手段，对掺氮直拉单晶硅中的氧沉淀及其诱生缺陷进行了研究，并取得了以下主要结论：1．掺氮对直拉单晶硅中氧沉淀的影响对800℃和1000℃处理后NCZ-Si样品中的氧沉淀行为进行了研究。研究发现，掺氮能够在中、高温促进氧沉淀的形成，并且氧沉淀的尺寸小而密度高；经过1000℃／225h处理的NCZ-Si样品中，片状和多面体两种形貌的氧沉淀共存，而CZ-Si样品中，只存在片状的氧沉淀，说明掺氮能够改变氧沉淀的形貌。2．掺氮对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的热稳定性的影响研究了800℃／225h和1000℃／225h热处理后，CZ-Si和NCZ-Si样品中存在的氧沉淀及其诱生缺陷的热稳定性。

目录

摘要

第一章前言

第二章综述

第三章 实验设计及实验设备

第四章 掺氮直拉单晶硅在中高温单步热处理中氧沉淀形成及其热稳定性研究

第五章 高温RTP研究8英寸硅片中氧沉淀及其诱生缺陷的热稳定性

第六章 掺氮直拉单晶硅氧化诱生层错行为的研究

第七章 直拉单晶硅中氧沉淀诱生缺陷的Cu吸杂行为研究

第八章 总结

参考文献

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致谢