等离子体浸没离子注入改性氧化铟锡薄膜实验研究

目录

摘要

Abstract

第1章 绪论

1.1 选题背景与意义

1.2 本论文主要研究内容与结构安排

参考文献

第2章 OLED发光理论及阳极界面修饰简介

2.1 OLED发光理论

2.1.1 载流子的注入、传输和复合

2.1.2 有机电致发光的能级理论

2.2 OLED阳极氧化铟锡简介

2.3 阳极界面修饰简介

2.3.1 阳极界面修饰意义

2.3.2 阳极界面修饰方法

参考文献

第3章 等离子体浸没离子注入理论及实验装置

3.1 等离子体浸没离子注入理论概述

3.2 PⅢ层理论

3.2.1 PⅢ鞘层模型

3.2.2 偏压源对注入剂量的影响

3.3 PⅢ实验装置

3.3.1 真空系统

3.3.2 气路控制系统

3.3.3 等离子体激发源

3.3.4 高压电源系统

3.3.5 手套箱超级净化系统

参考文献

第4章 ITO表面处理实验

4.1 未处理的ITO透明导电薄膜样品特性

4.1.1 基片及预处理

4.1.2 基片初始特征

4.2 ITO表面处理(1)：不同注入偏压的影响

4.3 ITO表面处理(2)：不同注入偏压的影响

4.4 ITO表面处理(3)：不同注入时间的影响

4.5 ITO表面处理(4)：不同注入时间的影响

第5章 样品表征结果分析

5.1 XPS表面分析方法概述

5.2 第一组和第二组ITO处理实验结果和分析

5.3 第三组ITO处理实验结果和分析

5.4 第四组ITO处理实验结果和分析

参考文献

第6章 总结与展望

6.1 本论文工作总结

6.2 未来工作展望

在校期间的科研成果和发表论文

致谢