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International Conference on Ion Implantation Technology
International Conference on Ion Implantation Technology
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1.
Angular Distributions of Sputtered Atoms fromSemiconductor Targets at Grazing Ion Beam IncidenceAngles
机译:
从放牧离子束侵袭的溅射原子的角度分布
作者:
M. Sekowski
;
A. Burenkov
;
J. Hernandez-Mangas
;
A.Martinez-Limia
;
H. Ryssel
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2008年
关键词:
Sputtering;
Germanium;
Silicon;
Grazing ion incidence;
Angular distribution;
2.
Hydrogen Selenide (H2Se) Dopant Gas for Selenium Implantation
机译:
硒硒(H2SE)掺杂气体用于硒植入
作者:
Ying Tang
;
Sharad Yedave
;
Joseph Despres
;
Oleg Byl
;
Joseph Sweeney
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Selenium;
Implants;
Fluid flow;
Hydrogen;
Feeds;
Ions;
Argon;
3.
Fracture in Epitaxial InP on Si for InGaAs on Insulator Fabrication via Smart Cut?
机译:
通过智能切割在绝缘体制造的Ingaas的外延InP中的骨折?
作者:
F. Mazen
;
S. Sollier
;
F. Madeira
;
F.X. Darras
;
C. Veytizou
;
G. Gaudin
;
N. Rochat
;
J. P. Barnes
;
J. Widiez
;
S. Guissi
;
B. Colombeau
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Hydrogen;
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Temperature measurement;
Substrates;
Annealing;
Silicon;
4.
ALD Process for Dopant-Rich Films on Si
机译:
富含掺杂薄膜的ALD过程
作者:
Thomas E. Seidel
;
Jeffrey W. Elam
;
Michael I. Current
;
Anil U. Mane
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Doping;
Silicon;
Films;
Boron;
Phosphorus;
FinFETs;
Atomic layer deposition;
5.
Simulation Study of Implantation Angle Variation and Its Impact on Device Performance
机译:
植入角度变化的仿真研究及其对器件性能的影响
作者:
Ruey-Dar Chang
;
Po-Heng Lin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Semiconductor device modeling;
Performance evaluation;
FinFETs;
Ions;
Semiconductor process modeling;
Ion implantation;
Ion beams;
6.
PAS PFG: A High Emission, Long Life Ribbon Flood
机译:
PAS PFG:高排放,长寿命泛滥
作者:
Michael Vella
;
Keith Allen
;
Gerhard Duerrhammer
;
Dustin Hacker
;
Nam Ngo
;
Michael Reilly
;
Florian Schaper
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Floods;
Plasmas;
Particle beams;
Xenon;
High definition video;
Apertures;
Magnetic separation;
7.
CUSPIG Ion Source for Large and Very Large Ribbon Ion Beam Systems
机译:
用于大型和非常大的带离子束系统的Cuspig离子源
作者:
Nicholas R. White
;
August O. Westner
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Plasmas;
Ion sources;
Ion beams;
Current density;
Cathodes;
8.
High Low Dose USJ Implantation into Ge-Epi on Si Wafers: Dopant Activation, Damage Recovery and Mobility Effects
机译:
在Si晶片上的GE-EPI高和低剂量USJ植入:掺杂剂激活,损伤回收和移动效果
作者:
John Borland
;
Michiro Sugitani
;
Joshua Herman
;
Karium Huet
;
Walt Johnson
;
Lu Yu
;
Abhijeet Joshi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Implants;
Annealing;
Silicon;
Measurement by laser beam;
Market research;
Junctions;
Semiconductor lasers;
9.
Ion Implantation of Polypropylene Films for the Manufacture of Thin Film Capacitors
机译:
聚丙烯薄膜的离子植入薄膜电容器的制造
作者:
Volker Haublein
;
Erwin Birnbaum
;
Heiner Ryssel
;
Lothar Frey
;
Marit Djupmyr
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Capacitors;
Capacitance;
Meteorology;
Ion implantation;
Stress;
Films;
Corrosion;
10.
Spatial Variation of Electron Energy Distribution Functions along to Field Lines on ECRIS
机译:
电子能量分布函数的空间变化沿着ECRIS上的现场线
作者:
Yushi Kato
;
Takuya Nishiokada
;
Tomoki Nagaya
;
Shogo Hagino
;
Takuro Otsuka
;
Takuto Watanabe
;
Yuto Tsuda
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Plasmas;
Probes;
Mirrors;
Magnetic fields;
Ion beams;
Plasma measurements;
Current measurement;
11.
Surface Modification and Activation with Gas Cluster Ion Beam
机译:
气体聚类离子束表面改性和激活
作者:
Tomoya Sasaki
;
Noriaki Toyoda
;
Isao Yamada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Radiation effects;
Bonding;
Acceleration;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Surface morphology;
Surface treatment;
12.
Surface Strained Ge-Cz Wafers by Sn-Implantation for High Electron and Hole Mobility
机译:
表面应变GE-CZ晶片通过SN植入用于高电子和空穴迁移率
作者:
John Borland
;
Michiro Sugitani
;
S. S. Chaung
;
Y. J. Lee
;
Karim Huet
;
Abhijeet Joshi
;
Alan Wan
;
Larry Wong
;
Peter Horvath
;
Andrew Finley
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Lasers;
X-ray scattering;
Lattices;
Junctions;
Implants;
Measurement by laser beam;
13.
A Hybrid Implant Doping Technique with Plasma Immersion Ion Implant (PIII) Process for 10 nm Fin Cannel of 3D-FET
机译:
一种杂交植入物掺杂技术,具有等离子体浸渍离子注入(PIII)的3D-FET翅片加工液法
作者:
Yi-Ju Chen
;
Ying-Tsan Tang
;
Chang-Hsien Lin
;
Chun-Chi Chen
;
Julian Duchaine
;
Yohann Spiegel
;
Frank Torregrossa
;
Laurent Roux
;
Jason Chen
;
Yun-Jie Wei
;
Yao-Ming Huang
;
Min-Chuan Hsiao
;
Yen-Chang Chen
;
Kai-Shin Li
;
Yao-Jen Lee
;
Min-Cheng Chen
;
Jia-Ming Shieh
;
Wen-Kuan Yeh
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Ions;
Silicon;
Implants;
Doping;
Plasmas;
14.
Surface Modification of PEEK with Gas Cluster Ion Beam Irradiation
机译:
PEEK与气体聚类离子束辐射的表面改变
作者:
Yuki Uozumi
;
Noriaki Toyoda
;
Isao Yamada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Radiation effects;
Adhesives;
Substrates;
Ions;
Surface morphology;
Acceleration;
Microstructure;
15.
New Flash Lamp Annealing Tool Equipped with an Ambient Control Feature Suitable for High-k Gate Stack Anneals
机译:
新的闪光灯退火工具配备了适用于高k门堆栈退火的环境控制功能
作者:
H. Kawarazaki
;
A. Ueda
;
M. Furukawa
;
T. Aoyama
;
S. Kato
;
I. Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Handheld computers;
Annealing;
Hafnium compounds;
Logic gates;
Temperature measurement;
High-k dielectric materials;
Tin;
16.
Development of a Full Metal Seal Low Energy Ion Source
机译:
开发全金属密封低能量离子源
作者:
Yuta Watanabe
;
Naoki Miyamoto
;
Toshiro Kasuya
;
Motoi Wada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ion beams;
Fault location;
Ion sources;
Argon;
Reflection;
17.
A Novel Method for Simultaneous on Wafer Level Monitoring of Ion Implantation Energy and Dose
机译:
一种新的离子植入能量和剂量的晶片水平监测方法
作者:
Moriz Jelinek
;
Mario Lugger
;
Nicolas Siedl
;
Werner Schustereder
;
Christian Krueger
;
Mathias Wagner
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Implants;
Frequency modulation;
Monitoring;
Sensitivity;
Energy measurement;
Frequency measurement;
18.
Doping Process and Tool for Surface Treatment Using Large-Area Ion Beams
机译:
使用大面积离子梁表面处理的掺杂工艺和工具
作者:
Yutaka Inouchi
;
Takeshi Matsumoto
;
Junichi Tatemichi
;
Masashi Konishi
;
Masao Naito
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Glass;
Ions;
Doping;
Ion beams;
Laser beams;
Substrates;
19.
High-Accuracy Two-Dimensional Intentional Non-Uniform Dose Implant: MIND 2.0
机译:
高精度二维故意非均匀剂量植入物:MIND 2.0
作者:
Shiro Ninomiya
;
Yasuharu Okamoto
;
Kazuhisa Ishibashi
;
Toshio Yumiyama
;
Akihiro Ochi
;
Yusuke Ueno
;
Mitsuaki Kabasawa
;
Mitsukuni Tsukihara
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Implants;
Shape;
Ions;
Two dimensional displays;
Ion implantation;
Dynamic range;
Current measurement;
20.
Electrical Deactivation of Boron in p+-Polycrystalline Silicon/SiOx/Crystalline Silicon Passivating Contacts for Silicon Solar Cells
机译:
硅太阳能电池的P + -Polycrystalline硅/ SiOx /晶体硅钝化硼的电气去激活
作者:
Jan Krugener
;
Dominic Tetzlaff
;
Yvo Barnscheidt
;
Yevgeniya Larionova
;
Sina Reiter
;
Mircea Turcu
;
Tobias Wietler
;
Robby Peibst
;
Uwe Hohne
;
Jan-Dirk Kahler
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Boron;
Junctions;
Silicon;
Temperature measurement;
Resistance;
Conductivity;
21.
Diffusion Suppression of Delta Doped Phosphorus in Germanium by Implantation of Nitrogen
机译:
氮气植入锗中Delta掺杂磷的扩散抑制
作者:
Alexander Scheit
;
Thomas Lenke
;
Yuji Yamamoto
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Conductivity;
Germanium;
Phosphorus;
Annealing;
Temperature measurement;
Nitrogen;
Surface treatment;
22.
Improved Multi-Cusp Ion Source to Efficiently Extract B+ Beam and PHx+ Beam
机译:
改进的多孔电源以有效提取B +光束和PHX +光束
作者:
Hiroaki Kai
;
Ippei Nishimura
;
Yutaka Inouchi
;
Takeshi Matsumoto
;
Junichi Tatemichi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Plasmas;
Current density;
Bellows;
Ion beams;
Ion sources;
23.
Implant and Anneal Technologies for Memory and CMOS Devices
机译:
内存和CMOS设备的植入物和退火技术
作者:
Seung Woo Jin
;
J. C. Cha
;
H. S. Lee
;
S. H. Son
;
B. G. Kim
;
Y. S. Jung
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Random access memory;
Transistors;
Junctions;
Performance evaluation;
Annealing;
Implants;
Logic devices;
24.
Advances in Ion Source Life: The AMAT Trident XP Source
机译:
离子源寿命的进步:AMAT三叉戟XP源
作者:
Antonella Cucchetti
;
Alexander Perel
;
Craig Chaney
;
David Sporleder
;
Wayne LeBlanc
;
Morgan McCarty
;
Bob Lindberg
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Cathodes;
Carbon;
Silicon;
Ion sources;
Plasmas;
Particle beams;
25.
Thermal Stability of Cobalt Silicide on Polysilicon Implanted with Germanium
机译:
用锗植入多晶硅硅酸盐的热稳定性
作者:
Zong-Jie Ko
;
Jeng-Hwa Liao
;
Hsin-Ju Lin
;
Jung-Yu Hsieh
;
Ling-Wu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Thermal stability;
Annealing;
Cobalt;
Silicides;
Implants;
Stability analysis;
Silicon;
26.
Characteristics of SiF4 Plasma Doping (PLAD)
机译:
SIF4等离子体掺杂的特点(PLAD)
作者:
Shu Qin
;
Deven Raj
;
Y. Jeff Hu
;
Allen McTeer
;
Helen Maynard
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Films;
Silicon;
Plasmas;
Implants;
Etching;
Ions;
Doping;
27.
Beam Energy Purity on Axcelis XE High Energy Ion Implanter
机译:
Axcelis XE高能离子注入机上的梁能量纯度
作者:
Shu Satoh
;
Jonathan David
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Magnetic separation;
Ions;
Radio frequency;
Electrostatics;
Xenon;
Linear particle accelerator;
Acceleration;
28.
Formation of 5 nm Ultra Shallow Junction on 3D Devices Structures by Ion Energy Decoupled Plasma Doping
机译:
通过离子能量去耦等离子体掺杂形成3D器件结构上的5nm超浅结的形成
作者:
Y. S. Kim
;
YounGi Hong
;
Ivan Berry
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Doping;
Plasmas;
Ions;
Junctions;
Silicon;
Surface treatment;
Three-dimensional displays;
29.
Process Robustness against Photoresist Outgassing in Single-Wafer High-Energy Implanters
机译:
针对单晶片高能量注入机中的光致抗蚀剂分配的鲁棒性
作者:
Hiroyuki Kariya
;
Yoji Kawasaki
;
Haruka Sasaki
;
Fumiaki Sato
;
Kazuhiro Watanabe
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ions;
Implants;
Lenses;
Trajectory;
Pollution measurement;
Electrostatics;
Magnetic separation;
30.
New Material Solution for Implant Processes Containing Halogens or Oxygen
机译:
含有卤素或氧气的植入方法的新材料溶液
作者:
Th. Werninghaus
;
B. Mayr-Schmolzer
;
M. OSullivan
;
F. Schaper
;
D. Hacker
;
M. Reilly
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Optical wavelength conversion;
Boron;
Implants;
Ions;
Plasmas;
Carbon;
Tungsten;
31.
Spatial Distribution of Multicharged Ions from Space Potentials Measured by Probe and Beam Methods on ECRIS
机译:
通过探头和梁法测量的空间电位的空间分布探针和荧光法测定ECRIS
作者:
Yushi Kato
;
Takuya Nishiokada
;
Tomoki Nagaya
;
Shogo Hagino
;
Takuro Otsuka
;
Takuto Watanabe
;
Yuto Tsuda
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ion beams;
Ions;
Probes;
Plasmas;
Plasma measurements;
Electric potential;
Extraterrestrial measurements;
32.
Improving Material Choices for Advanced Semiconductor Processing
机译:
改善高级半导体处理的材料选择
作者:
Th. Werninghaus
;
B. Mayr-Schmoelzer
;
M. OSullivan
;
F. Schaper
;
D. Hacker
;
M. Reilly
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Boron;
Plasmas;
Carbon;
Tungsten;
Coatings;
Suspensions;
Resistance;
33.
Method of Beam Energy Adjustment by Using Beam Parallelism
机译:
光束并行性光束能量调节方法
作者:
Haruka Sasaki
;
Hiroyuki Kariya
;
Masaki Ishikawa
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ions;
Parallel processing;
Linear particle accelerator;
Radio frequency;
Energy measurement;
Particle beams;
Lenses;
34.
UpTime? Si2H6/SiF4 Mix for High Productivity Si Implant
机译:
正常运行时间? Si2H6 / SIF4混合高生产率SI植入物
作者:
Ashwini K. Sinha
;
Doug C. Heiderman
;
Robin Chiu
;
Bon-Woong Koo
;
David Sporleder
;
Stanley M. Smith
;
Frank Sinclair
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Implants;
Silicon;
Ionization;
Ion sources;
Cathodes;
Fluorine;
Tungsten;
35.
Novel Ion Source for the Production of Extended Sheet Beams
机译:
用于生产延伸薄片梁的新型离子源
作者:
Thomas N. Horsky
;
Sami K. Hahto
;
Tetsuro Yamamoto
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ion sources;
Plasmas;
Ionization chambers;
Electron guns;
Anodes;
Ion beams;
36.
Carbon Implantation Performance Improvement by Mixing Carbon Monoxide (CO) with Carbonyl Fluoride (COF2) and Carbon Dioxide (CO2)
机译:
通过将一氧化碳(CO)与羰基氟化物(COF2)和二氧化碳(CO2)混合碳植入性能改善
作者:
Ying Tang
;
Sharad Yedave
;
Oleg Byl
;
Joseph Despres
;
Eric Tien
;
Steve Bishop
;
Joseph Sweeney
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Carbon;
Implants;
Cathodes;
Ions;
Fluorine;
Carbon dioxide;
Transient analysis;
37.
UV Excimer Laser Annealing for Next Generation Power Electronics
机译:
下一代电力电子器材的UV准分子激光退火
作者:
Toshiyuki Tabata
;
Sebastien Halty
;
Ines Toque-Tresonne
;
Fulvio Mazzamuto
;
Karim Huet
;
Yoshihiro Mori
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
excimer lasers;
laser beam annealing;
phosphorus;
power electronics;
silicon compounds;
38.
Challenges and Solutions of 2-D (3-D) Device Doping Process and Doping Profiling Metrology
机译:
二维(3-D)装置掺杂工艺和掺杂分析计量的挑战与解决方案
作者:
Shu Qin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Doping;
Implants;
Ions;
Electrical resistance measurement;
Resistance;
Plasmas;
Microscopy;
39.
Deterministic Atom Placement by Ion Implantation: Few and Single Atom Devices for Quantum Computer Technology
机译:
通过离子植入确定性原子展示:少量和单个原子器件用于量子计算机技术
作者:
David N. Jamieson
;
William I. L. Lawrie
;
Fay E. Hudson
;
Andrew S. Dzurak
;
Andrea Morello
;
Simon G. Robson
;
A. Melvin Jakob
;
Brett C. Johnson
;
Jeff C. McCallum
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ions;
Electrodes;
Quantum computing;
Silicon;
Logic gates;
Substrates;
Nanoscale devices;
40.
Ion Implantation for Photovoltaic Applications: Review and Outlook for n-Type Silicon Solar Cells
机译:
用于光伏应用的离子植入:N型硅太阳能电池的回顾与展望
作者:
Jan Krugener
;
H. Jorg Osten
;
Fabian Kiefer
;
Felix Haase
;
Robby Peibst
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ion implantation;
Photovoltaic cells;
Silicon;
Photovoltaic systems;
Doping;
Boron;
41.
Sheet Resistance Dependence on Ion Angle Deviation
机译:
薄层电阻依赖离子角度偏差
作者:
Yoji Kawasaki
;
Kazutaka Tsukahara
;
Makoto Sano
;
Sho Kawatsu
;
Masazumi Koike
;
Hiroyuki Kariya
;
Mitsuaki Kabasawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ions;
Monitoring;
Implants;
Resistance;
Fluctuations;
Detectors;
Lenses;
42.
Dopant Activation and Deactivation Phenomena during Advanced Millisecond Anneal Cycles
机译:
高级毫秒退火周期期间掺杂剂激活和失活现象
作者:
P. J. Timans
;
M. Hagedorn
;
C. Pfahler
;
A. Cosceev
;
L. Rubin
;
M. Zwissler
;
A. Joshi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
annealing;
arsenic;
CMOS integrated circuits;
cooling;
ion implantation;
phosphorus;
silicon;
silicon compounds;
43.
Change of V-Curve Behavior Depending on Ion Angle Deviation in Channeling Condition
机译:
V-Curve行为的变化,取决于信道条件的离子角度偏差
作者:
Makoto Sano
;
Kazutaka Tsukahara
;
Sho Kawatsu
;
Yoji Kawasaki
;
Masazumi Koike
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Implants;
Ions;
Shape;
Crystals;
Ion implantation;
Doping profiles;
Performance evaluation;
44.
U3DS, a Compact Mass-Analyzer for Large High Current-Density Ribbon Ion Beams
机译:
U3DS,一种紧凑的质量分析仪,用于大型高电流密度带离子束
作者:
Nicholas R. White
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ions;
Magnetic fields;
Magnetic flux;
Trajectory;
Ion beams;
Meters;
Magnetic resonance;
45.
Modification of Biomaterials and Biomedical Devices by Plasma Immersion Ion Implantation Deposition and Related Techniques
机译:
等离子体浸没离子注入和沉积和相关技术改性生物材料和生物医学装置
作者:
Paul K. Chu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Corrosion;
Magnesium;
Tin;
Implants;
Surface morphology;
Coatings;
46.
Investigation of Floating Gate Implantation Effect on 1Xnm NAND FLASH
机译:
1xnm NAND闪光浮栅植入效应的研究
作者:
Jeng-Hwa Liao
;
Zong-Jie Ko
;
Hsing-Ju Lin
;
Jung-Yu Hsieh
;
Ling-Wu Yang
;
Tahone Yang
;
Kuang-Chao Chen
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Flash memories;
Reliability;
Logic gates;
Nonvolatile memory;
Interference;
Etching;
Ion implantation;
47.
Intentional Two-Dimensional Non-Uniform Dose Implant with High Dynamic Dose Range
机译:
故意二维非均匀剂量植入高动态剂量范围
作者:
Kazuhisa Ishibashi
;
Shiro Ninomiya
;
Toshio Yumiyama
;
Akihiro Ochi
;
Akira Funai
;
Mitsuaki Kabasawa
;
Mitsukuni Tsukihara
;
Kazuyoshi Ueno
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Implants;
Two dimensional displays;
Ions;
Dynamic range;
Ion implantation;
Fuses;
Industries;
48.
A Beam Quality Control Method in SAion Ion Implanter
机译:
锯旋离子注入机中的光束质量控制方法
作者:
Shiro Ninomiya
;
Takanori Yagita
;
Kazuhisa Ishibasi
;
Noriyuki Suetsugu
;
Mitsuaki Kabasawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ions;
Ion beams;
Monitoring;
Detectors;
Radiation effects;
Quality control;
Ion implantation;
49.
Moore's Law Continues into the 1x-nm Era
机译:
摩尔定律继续进入1x-nm时代
作者:
Dick James
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Dielectrics;
Atomic measurements;
FinFETs;
50.
Low-Energy Electron Generator for Wafer Charge Neutralization
机译:
低能电子发生器,用于晶片充电中和
作者:
Greg Stratoti
;
Larry Ficarra
;
James Cummings
;
Peter Ewing
;
James Carroll
;
Frank Sinclair
;
Hiro Ito
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Plasmas;
Metals;
Implants;
Antennas;
Floods;
Radio frequency;
Ions;
51.
Development of Plasma Flood Gun for Gen 5.5 Implanter
机译:
生成5.5种植刀等离子洪水枪的发展
作者:
Tomokazu Nagao
;
Taro Hayakawa
;
Genki Takahashi
;
Yutaka Inouchi
;
Junichi Tatemichi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Glass;
Ion beams;
Substrates;
Plasmas;
Electric potential;
Probes;
52.
Power Device Implants
机译:
电源设备植入物
作者:
Werner Schustereder
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ion implantation;
MOSFET;
Ions;
Doping;
Silicon;
Annealing;
Protons;
53.
Phosphorus-Implanted Emitter Crystalline Silicon Solar Cell with AL-BSF
机译:
磷植入的发射器晶体硅太阳能电池与AL-BSF
作者:
Katsuto Tanahashi
;
Masaaki Moriya
;
Yasuhiro Kida
;
Satoshi Utsunomiya
;
Tetsuo Fukuda
;
Katsuhiko Shirasawa
;
Hidetaka Takato
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Phosphorus;
Photovoltaic cells;
Silicon;
Surface texture;
Ion beams;
Annealing;
Acceleration;
54.
Advancement of Ion Implanters That Enabled Moore's Law and Evolution of Semiconductor Devices
机译:
ION植入机的进步使MOORE的定律和半导体器件演变的进展
作者:
Hiro Ito
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ions;
Plasmas;
Ion beams;
Ion implantation;
Electric potential;
Transistors;
55.
Extraction of a Metal Ion Beam from a Planar Magnetron Sputter Ion Source
机译:
从平面磁控溅射离子源提取金属离子束
作者:
Motoi Wada
;
Shoma Kanda
;
Yusuke Kuwata
;
Naoki Miyamoto
;
Kentaro Yoshioka
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Radio frequency;
Ion sources;
Plasmas;
Sputtering;
Copper;
Electrodes;
56.
A Dual Microwave Antenna Plasma Source
机译:
双微波天线等离子体源
作者:
Yusuke Kuwata
;
Toshiro Kasuya
;
Naoki Miyamoto
;
Shun Yamamoto
;
Yuta Watanabe
;
Motoi Wada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Microwave antennas;
Plasma sources;
Graphite;
Probes;
Ceramics;
57.
Effect of Ion Flux in Source-Drain Extension Ion Implantation for 10-nm Node FinFet and beyond on 300/450mm Platforms
机译:
离子通量在源 - 排水延伸离子注入中的影响10nm节点FinFET及超过300 / 450mm平台的影响
作者:
Ming-Yi Shen
;
Adarsh Basavalingappa
;
Takeshi Hayakawa
;
Hidekazu Matsugi
;
Christopher Borst
;
Stock Chang
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ions;
Silicon;
Semiconductor process modeling;
FinFETs;
Ion implantation;
Performance evaluation;
Computational modeling;
58.
Investigation of Boron Gas Mixtures for Beamline Implant
机译:
梁线植入物硼气混合物的研究
作者:
Ying Tang
;
Oleg Byl
;
Sharad Yedave
;
Joseph Despres
;
Joseph Sweeney
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Boron;
Ion sources;
Implants;
Fluid flow;
Stability analysis;
Insulators;
Switches;
59.
Utilization of Metal-Organic Frameworks for the Management of Gases Used in Ion Implantation
机译:
金属有机框架利用离子植入中使用的气体管理
作者:
G. M. Tom
;
W. Morris
;
M. H. Weston
;
P. E. Fuller
;
P. W. Siu
;
C. R. Murdock
;
J. P. Siegfried
;
O. K. Farha
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Carbon;
Gases;
Boron;
Adsorption;
60.
Exemplary Ion Source for the Implanting of Halogen and Oxygen Based Dopant Gases
机译:
用于植入卤素和基于氧的掺杂气体的示例性离子源
作者:
Tseh-Jen Hsieh
;
Neil K. Colvin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Tungsten;
Cathodes;
Ion sources;
Carbon;
Thermal stability;
Fluorine;
61.
Low Temperature Graphene Film Formation with Ethane Cluster Ion Implantation
机译:
用乙烷聚类离子注入低温石墨烯膜形成
作者:
Noriaki Toyoda
;
Isao Yamada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Graphene;
Nickel;
Carbon;
Radiation effects;
Acceleration;
Ions;
Substrates;
62.
Channeling, Self-PAI, and Self-Sputtering Effects of Ion Implantation versus Ion Species, Energy, and Dose - Data and Modeling
机译:
离子植入与离子物种,能量和剂量 - 数据和造型的窜漏,自p和自溅射效应
作者:
Shu Qin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Implants;
Ions;
Data models;
Fitting;
Thickness measurement;
Impurities;
Semiconductor device modeling;
63.
Extension of the Source Lifetime in HC Ion Implanter with Dedicated Species
机译:
用专用物种延伸HC离子注入机中的源寿命
作者:
Edwin Su
;
Alan Chang
;
Kim Wu
;
Joe Tsai
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Hardware;
Ion sources;
Cathodes;
Ion beams;
Ion implantation;
64.
Development of a Low Energy Carbon Molecular Ion Source
机译:
低能量碳分子离子源的发展
作者:
Shun Yamamoto
;
Naoki Miyamoto
;
Toshiro Kasuya
;
Magdaleno R. Vasquez
;
Motoi Wada
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Carbon;
Ion sources;
Discharges (electric);
Fault location;
Plasmas;
65.
Comparison of Experimental Emitter Saturation Current Densities and Simulated Defect Densities of Boron-Implanted Emitters
机译:
实验发射极饱和电流密度的比较和硼植入发射器的模拟缺陷密度
作者:
Jan Krugener
;
H. Jorg Osten
;
Fabian Kiefer
;
Robby Peibst
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Boron;
Annealing;
Implants;
Ions;
Ion implantation;
Current density;
Photovoltaic cells;
66.
EnrichedPLUS 72Germanium Tetrafluoride (EnPLUS 72GeF4) and Hydrogen (H2) Mixture for Implanter Performance Improvement
机译:
富含72germanium四氟化物(ENPLUS 72GEF4)和氢气(H2)混合物,用于植入物性能改善
作者:
Barry Chambers
;
Ying Tang
;
Steve Bishop
;
Thomas Morel
;
Marc Biossat
;
Joseph Sweeney
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Implants;
Germanium;
Ion implantation;
Standards;
Testing;
Ion sources;
67.
Annealing Behavior of Aluminum Implanted Germanium
机译:
铝植入锗的退火行为
作者:
Hiroshi Onoda
;
Yoshiki Nakashima
;
Tsutomu Nagayama
;
Shigeki Sakai
;
Abhijeet Joshi
;
Shigeaki Zaima
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Impurities;
Annealing;
Junctions;
Resistance;
Aluminum;
Phosphorus;
Substrates;
68.
Medium Energy High Dose Ion Implanter
机译:
中型能量高剂量离子注入机
作者:
Brian Gori
;
Shengwu Chang
;
Bill Leavitt
;
Dave Timberlake
;
Christian Kruger
;
Werner Schustereder
;
Marie Welsch
;
Jeff Klein
;
Kurt Decker-Lucke
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Three-dimensional displays;
Productivity;
Magnetic separation;
Particle beams;
Magnetomechanical effects;
Ions;
Insulators;
69.
MC3 V-Curve Characteristics in Low Energy Implantation
机译:
低能量植入中的MC3 V曲线特征
作者:
Sho Kawatsu
;
Toshiki Miyake
;
Makoto Sano
;
Yoji Kawasaki
;
Kazutaka Tsukahara
;
Masazumi Koike
;
Hiroyuki Kariya
;
Mitsuaki Kabasawa
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Implants;
Ions;
Monitoring;
Fluctuations;
Ion implantation;
Ion beams;
Current measurement;
70.
Optimization of Mid-Electrode Potential and Extraction Gap for Miscellaneous Ion Beam from Electron Cyclotron Resonance Ion Source
机译:
电子回旋共振离子源的杂项离子束的微电位电位和提取间隙的优化
作者:
Takuro Otsuka
;
Takuya Nishiokada
;
Tomoki Nagaya
;
Shogo Hagino
;
Takuto Watanabe
;
Yuto Tsuda
;
Yushi Kato
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Ion beams;
Plasmas;
Xenon;
Electrodes;
Current measurement;
Electric potential;
71.
Surface Dopant Concentration Modulation for FinFet Applications
机译:
FINFET应用的表面掺杂剂浓度调制
作者:
Shao Yu Hu
;
Ching-I Li
;
Ger-Pin Lin
;
Edwin Su
;
Kim Wu
;
Sandeep Mehta
;
Steve Walther
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
modulation;
MOSFET;
semiconductor doping;
72.
Ion Implantation Technology for Image Sensors
机译:
用于图像传感器的离子植入技术
作者:
Nobukazu Teranishi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Dark current;
Metals;
Ion implantation;
CMOS image sensors;
Contamination;
Photodiodes;
73.
Influence of Beam-Extraction Structure on the Ion Energy for Ultra-Shallow Implantation
机译:
光束提取结构对超浅植入离子能量的影响
作者:
N. Sakudo
;
N. Ikenaga
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Plasmas;
Ion sources;
Electric potential;
Ion beams;
Current;
Microwave circuits;
74.
Nanosecond Laser Annealing for Phosphorous Activation in Ultra-Thin Implanted Silicon-On-Insulator Substrates
机译:
纳秒激光退火用于超薄植入硅 - 绝缘体基材中的磷激活
作者:
P. Acosta Alba
;
S. Kerdiles
;
B. Mathieu
;
R. Kachtouli
;
F. Mazzamuto
;
I. Toque-Tresonne
;
K. Huet
;
P. Besson
;
M. Veillerot
;
F. Aussenac
;
C. Fenouillet-Beranger
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Annealing;
Silicon;
Lasers;
Transistors;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Phosphorus;
75.
Dopant Activation Control Using a Soak Pulse in Flash Lamp Annealing
机译:
掺杂剂激活控制在闪光灯退火中使用浸泡脉冲
作者:
M. Abe
;
K. Fuse
;
S. Kato
;
T. Aoyama
;
I. Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Junctions;
Annealing;
Boron;
Phosphorus;
Arsenic;
Temperature control;
Silicon;
76.
High Current Ion Implanter 'LUXiON'
机译:
高电流ION Implanter“Lugion”
作者:
Yusuke Kuwata
;
Tetsuya Igo
;
Kohei Tanaka
;
Sami K. Hahto
;
Tetsuro Yamamoto
;
Hideyasu Une
;
Hirofumi Asai
;
Masayoshi Hino
;
Sei Umisedo
;
Karuppanan Sekar
;
Thormas N. Horsky
;
Yoshiki Nakashima
;
Nariaki Hamamoto
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
Particle beams;
Pollution measurement;
Atomic measurements;
Ion sources;
Electrodes;
Temperature measurement;
77.
Developing Pure Iron Evaporator and Production of Iron Ion Beam in Tandem-Type Electron Cyclotron Resonance Ion Source
机译:
在串联电子回旋谐振离子源中开发纯铁蒸发器和铁离子束的生产
作者:
Shogo Hagino
;
Takuro Otsuka
;
Takuto Watanabe
;
Masayuki Muramatsu
;
Atsushi Kitagawa
;
Yuto Tsuda
;
Yushi Kato
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2016年
关键词:
fullerenes;
plasma ohmic heating;
plasma radiofrequency heating;
vacuum deposition;
78.
Thermal evolution of H-related defects in H implanted Si: from nano-platelets to micro-cracks
机译:
H植入Si中H相关缺陷的热量演化:从纳米血小板到微裂缝
作者:
Alain Claverie
;
Nicolas Daix
;
Fouad Okba
;
Nikolay Cherkashin
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Silicon;
Sociology;
Statistics;
Surface cracks;
Ion implantation;
Microscopy;
79.
Conformal Doping with High Dopant Concentration for n+/p and p+/n Si junctions in 3D Devices Using Sol-Gel Coating and Flash Lamp Annealing
机译:
使用溶胶 - 凝胶涂层和闪光灯退火的3D装置中的N + / P和P + / N SI结的高掺杂剂浓度的共形掺杂
作者:
Kazuhiko Fuse
;
Hideaki Tanimura
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Yoshihide Nozaki
;
Ippei Kobayasi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Junctions;
Silicon;
Annealing;
Doping;
Coatings;
Arsenic;
Three-dimensional displays;
80.
Dose Dependent Profile Deviation of Implanted Aluminum in 4H-SiC During High Temperature Annealing
机译:
高温退火期间4H-SiC植入铝的剂量依赖性剖面偏差
作者:
Matthias Kocher
;
Mathias Rommel
;
Tomasz Sledziewski
;
Volker H?ublein
;
Anton J. Bauer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
Aluminum;
Annealing;
Silicon;
Carbon;
Simulated annealing;
Silicon carbide;
81.
Migration Behavior of 100°C Europium Ion Implantation in Glassy Carbon
机译:
100°C铕离子植入玻璃碳的迁移行为
作者:
Mahboubeh Fathi Kenari
;
Thulani T Hlatshwayo
;
Opeyemi S Odutemowo
;
Tshegofatso M Mohlala
;
Elke Wendler
;
Johan B Malherbe
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Carbon;
Annealing;
Ion implantation;
Europium;
Surface treatment;
Ions;
Surface topography;
82.
Towards Carrier Profiling in Nanometer-wide Si Fins with Micro Four-Point Probe
机译:
朝着纳米宽Si翅片用微四点探针探讨载体分析
作者:
Steven Folkersma
;
Janusz Bogdanowicz
;
Andreas Schulze
;
Paola Favia
;
Alexis Franquet
;
Valentina Spampinato
;
Dirch H. Petersen
;
Ole Hansen
;
Henrik H. Henrichsen
;
Peter F. Nielsen
;
Lior Shiv
;
Wilfried Vandervorst
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Electrical resistance measurement;
Resistance;
Silicon;
Probes;
Sputtering;
Implants;
Semiconductor device measurement;
83.
Boron Deposition Control for p-type Plasma Doping
机译:
P型等离子掺杂的硼沉积控制
作者:
Vikram Bhosle
;
Nicholas Bateman
;
Deven Raj
;
Tim Miller
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Boron;
Surface treatment;
Implants;
Plasmas;
Doping profiles;
Silicon;
84.
Peter H. Rose - Father of Ion Implantation: The Early Years
机译:
彼得H. Rose - 离子植入父亲:早年
作者:
Andrew Wittkower
;
Geoffrey Ryding
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ion implantation;
Ion sources;
Business;
Technological innovation;
Acceleration;
Particle beams;
85.
The Defect Formation Mechanism Associated with Low Dose Implants into Si Fin Structures
机译:
与低剂量植入物进入Si Fin结构相关的缺陷形成机制
作者:
Kevin Jones
;
Emily Turner
;
Jae Young Lee
;
Hans van Meer
;
Naushad Variam
;
Ibrahim Avci
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Silicon;
Annealing;
Stacking;
Stress;
Ions;
Ion implantation;
86.
MOSFET Threshold Voltage Shift Induced By Ion Implantation Performed in Different Implanters
机译:
在不同的植入机中进行的离子注入引起的MOSFET阈值电压移位
作者:
Vladimir Kolkovsky
;
Arnd Hürrich
;
Lutz Ende
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Logic gates;
MOSFET;
MOSFET circuits;
Ion implantation;
Capacitance-voltage characteristics;
Threshold voltage;
87.
High Intensity low Aluminum Ion Energy Implantation into Titanium
机译:
高强度低铝离子能量植入钛
作者:
Alexander Ryabchikov
;
Alexey Shevelev
;
Denis Sivin
;
Egor Kashkarov
;
Irina Bozhko
;
Igor Stepanov
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Aluminum;
Surface morphology;
Current density;
Sputtering;
Surface treatment;
Ion implantation;
88.
Hydrocarbon Gettering Effect for Contaminants from Factory Environment
机译:
工厂环境污染物的碳氢化合物杂志效应
作者:
Naoki Miyamoto
;
Takahiro Higuchi
;
Ryota Wada
;
Takashi Kuroi
;
Tsutomu Nagayama
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gettering;
Carbon;
Ions;
Annealing;
Hydrocarbons;
Potassium;
Atomic layer deposition;
89.
TRI3DYN Modelling and MEIS Measurements of Arsenic Dopant Profiles in FinFETS
机译:
FinFET中砷掺杂剂型材的三维模型和MEIS测量
作者:
Jonathan England
;
Lucio dos Santos Rosa
;
Won Ja Min
;
Jwasoon Kim
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Ions;
Doping profiles;
Semiconductor process modeling;
Arsenic;
Implants;
Scattering;
90.
Proximity Gettering Design of Silicon Wafers Using Hydrocarbon Molecular Ion Implantation Technique for Advanced CMOS Image Sensors
机译:
使用烃分子离子注入技术进行高级CMOS图像传感器的硅晶片的接近摩擦设计
作者:
Kazunari Kurita
;
Takeshi Kadono
;
Satoshi Shigematsu
;
Ryo Hirose
;
Ryosuke Okuyama
;
Ayumi Onaka-Masada
;
Hidehiko Okuda
;
Yoshihiro Koga
;
Jea-Gun Park
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
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2018年
关键词:
Impurities;
CMOS image sensors;
Silicon;
Fabrication;
Hydrocarbons;
Ion implantation;
Gettering;
91.
Defects Investigation in Nanosecond laser Annealed Crystalline Silicon: Identification and Localization
机译:
纳秒激光退火结晶硅的缺陷调查:鉴定与本地化
作者:
Richard Monflier
;
Hiba Rizk
;
Toshiyuki Tabata
;
Julien Roul
;
Simona Boninelli
;
Markus Italia
;
Antonino La Magna
;
Fulvio Mazzamuto
;
Pablo Acosta Alba
;
Sébastien Kerdilès
;
Filadelfo Cristiano
;
Elena Bedel-Pereira
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Silicon;
Measurement by laser beam;
Carbon;
Satellites;
Chemical lasers;
92.
A Study on the Effect of Ion Implant to Wafer Shape and the Ion Implanter to Process the Distorted Thin SiC Wafer
机译:
离子植入物与晶片形状的影响及离子注入机的影响处理扭曲的薄SiC晶片
作者:
WeiJiang Zhao
;
Shiro Shiojiri
;
Kazuki Tobikawa
;
Suguru Itoi
;
Shigeki Sakai
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Silicon carbide;
Shape;
Ions;
Ion implantation;
Clamps;
Implants;
Temperature measurement;
93.
Diffusion and Aggregation of Mg Implanted in GaN on Si
机译:
甘蓝植入甘氏植入的扩散与聚集
作者:
A. Lardeau-Falcy
;
L. Amichi
;
M. Coig
;
J. Kanyandekwe
;
F. Milési
;
A. Grenier
;
M. Veillerot
;
J. Eymery
;
F. Mazen
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Annealing;
Surface treatment;
Surface morphology;
Silicon;
Ion implantation;
Atomic measurements;
94.
Measurement of the Lateral Charge Distribution in Silicon Generated by High-Energy Ion Incidence
机译:
高能离子发病率产生的硅中横向电荷分布的测量
作者:
Satoshi Abo
;
Kenichi Tani
;
Fujio Wakaya
;
Shinobu Onoda
;
Yuji Miyato
;
Hayato Yamashita
;
Masayuki Abe
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Ions;
Charge measurement;
Silicon;
Current measurement;
Solids;
Histograms;
Semiconductor device measurement;
95.
Precise Diffusion Control in the Nanometer Range in n+/p and p+/n Ge Using Ion Implantation and Flash Lamp Annealing
机译:
使用离子植入和闪光灯退火,N + / P和P + / N Ge中纳米范围内的精确扩散控制
作者:
Hideaki Tanimura
;
Hikaru Kawarazaki
;
Takayuki Aoyama
;
Shinichi Kato
;
Ippei Kobayashi
;
Ryota Wada
;
Takahiro Higuchi
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Germanium;
Annealing;
Junctions;
Ion implantation;
Doping;
Silicon;
Conferences;
96.
Impact of Carbon on the Deactivation Behaviors of Boron and Phosphorus in Preamorphized Silicon
机译:
碳对硼和磷在前菱形硅中的失活行为的影响
作者:
Ruey-Dar Chang
;
Hsueh-Chun Liao
;
Jui-Chang Lin
;
Jung-Ruey Tsai
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Carbon;
Boron;
Phosphorus;
Silicon;
Resistance;
Annealing;
Ion implantation;
97.
Comparative Study of 4H-SiC UV-Sensors with Ion Implanted and Epitaxially Grown p-Emitter
机译:
离子植入和外延生长P型发射极4H-SiC紫外线传感器的比较研究
作者:
Christian D. Matthus
;
Tobias Erlbacher
;
Anton J. Bauer
;
Lothar Frey
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Epitaxial growth;
Sensors;
Ion implantation;
Ions;
Semiconductor process modeling;
Doping;
Silicon carbide;
98.
Ion Implantation of As, P, B, BF and BF
2
on Planar and Alkaline-Textured Si(001) Surfaces for Photovoltaic Applications
机译:
IS,P,B,BF和BF> 2 ING>在平面和碱性纹理Si(001)表面上的光伏应用
作者:
Jan Krügener
;
Fabian Kiefer
;
Robby Peibst
;
H. J?rg Osten
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
|
2018年
关键词:
Implants;
Surface morphology;
Fluorine;
Ions;
Ion implantation;
Surface texture;
Boron;
99.
ION-X Dopant Gas Delivery System Performance Characterization at Axcelis
机译:
ION-X掺杂气体输送系统性能表征AXCEL
作者:
J. Arnó
;
O. K. Farha
;
W. Morris
;
P. W. Siu
;
G. M Tom
;
M. H. Weston
;
P. E. Fuller
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
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2018年
关键词:
Gases;
Metals;
Ion implantation;
Ions;
Implants;
Surface contamination;
100.
MARLOWE Simulation of High Energy Ions into Single Crystalline Silicon Substrates
机译:
高能离子仿真成单晶硅衬底的马洛模拟
作者:
Haruka Sasaki
;
Yoji Kawasaki
;
Shiro Ninomiya
;
Michiro Sugitani
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology》
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2018年
关键词:
Implants;
Ions;
Substrates;
Shape;
Ion implantation;
CMOS image sensors;
Silicon;
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