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独创性声明及保护知识产权申明
第一章 前言
第二章 RTCVD设备
第三章 加热装置
第四章 用RTCVD生长SiC薄膜的工艺
第五章 结束语
致谢
参考文献
附录
马宝山;
西安理工大学;
碳化硅薄膜; 薄膜生长; RTCVD装置; 材料物理化学; 薄膜技术; 薄膜物理学;
机译:Si(111)衬底上生长的β-SiC薄膜的RTCVD研究
机译:通过C / sub 3 / H / sub 8 /和SiH / sub 4 /的RTCVD在Si上外延生长β-SiC
机译:探索生殖年龄(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)&x8377;(SiC )(SIC)(SIC)(SIC)
机译:高速高压抛光工艺抛光装置的研制 - 适用于蓝宝石和SiC基板及其加工特性
机译:通过RTCVD在SOI衬底上生长SiC薄膜。
机译:优化SiC粉末源材料以改善SiC圆棒的PVT生长过程中的工艺条件
机译:碳纳米管的RTCVD合成及其晶圆级集成到FET和传感器工艺中
机译:适用于温和气化工艺装置的测试总结和详细测试计划。总结报告
机译:基于SIC薄膜的原位掺杂能够控制SI-MEMS的灵敏度,分辨率和响应速度的多晶碳化硅薄膜生长方法
机译:具有RTCVD层的半导体器件的制造工艺
机译:RTCVD工艺的掺杂氮化物膜,掺杂氧化物膜和其他掺杂膜以及沉积速率的改进
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