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第一章绪论
1.1压力传感器概述
1.2高温压力传感器的发展现状
1.3论文研究重点、难点和安排
第二章碳化硅宽带隙半导体材料
2.1极端电子学材料碳化硅
2.2SiC的晶体的结构
2.3小结
第三章谐振式碳化硅微压力传感器敏感结构的数学模型
3.1基于矩形感应膜片敏感结构的工作机理
3.2基于矩形感应膜片敏感结构的解析模型
3.2.1矩形膜片的解析模型
3.2.2谐振梁的压力——频率特性
3.2.3矩形膜片的压力——频率特性
3.3基于矩形感应膜片敏感结构的有限元模型
3.3小结
第四章谐振式碳化硅微压力传感器的工作特性分析
4.1谐振式碳化硅压力传感器的材料及典型结构参数
4.2谐振式碳化硅压力传感器敏感结构的解析分析
4.2.1矩形膜片的力学特性解析分析
4.2.2谐振梁的压力——频率特性的解析分析
4.2.3矩形膜片的压力——频率特性的解析分析
4.3谐振式碳化硅压力传感器敏感结构的有限元分析
4.3.1矩形膜片及谐振梁的的静力有限元分析
4.3.2矩形膜片和梁一体的静力分析有限元分析
4.3.3谐振梁的压力——频率特性的有限元分析
4.3.4矩形膜片的压力——频率特性的有限元分析
4.5小结
第五章谐振式碳化硅压力传感器热特性分析
5.1环境温度变化时敏感结构的热力学解析模型
5.2环境温度变化时敏感结构的热力学有限元分析
5.3小结
第六章谐振式碳化硅微压力传感器的优化设计
6.1谐振式碳化硅微结构压力传感器敏感结构的单参数优化分析
6.1.1“凹”字型矩形膜矩形膜片长度和宽度对灵敏度的影响
6.1.2双岛型矩形膜结构的建立
6.1.3双岛型矩形膜结构的单参数优化分析
6.2谐振式硅微结构压力传感器敏感结构的多参数优化分析
第七章结束语
致谢
参考文献
研究成果
附录