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马格林;
西安电子科技大学;
质量评估; 红外镜面反射谱; 外延工艺; 碳化硅; 缺陷密度;
机译:新的PLAD装置和外延膜的制造以及功能材料的结:SiC,GaN,ZnO,金刚石和GMR层
机译:一种新的脸部新病评估方法,专注于笑声的质量
机译:SiC / SiC复合材料蠕变变形宏观评估方法的发展
机译:多孔SIC衬底材料,用于高质量的外延和散装生长
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:外延过程中将原位氮掺入4H-SiC的新模型
机译:SiC / SiC复合材料蠕变变形计算评估方法的发展(力学,强度和结构设计)
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:SiC基板评估方法,SiC外延晶片制造方法和SiC外延晶片
机译:SiC基体评估方法,SiC外延片制造方法和SiC外延片
机译:SiC SiC SiC基体评估方法和SiC外延晶片制造方法
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