机译:新的PLAD装置和外延膜的制造以及功能材料的结:SiC,GaN,ZnO,金刚石和GMR层
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, AIST, Mat Res Inst Sustainable Dev, Moriyama Ku, Nagoya, Aichi 4638560, Japan;
PLAD apparatus; epitaxial film; functional material; PULSED-LASER DEPOSITION; YBA2CU3O7-DELTA THIN-FILMS; LIGHT-EMITTING DIODES; ND-YAG LASER; BUFFER LAYER; HETEROEPITAXIAL FILMS; ABLATION; GROWTH; DEPENDENCE; SUBSTRATE;
机译:ScGaO_3(ZnO)_m缓冲层制备ScAlMgO_4外延薄膜及其在ZnO外延生长的晶格匹配缓冲层中的应用
机译:金属有机分子束外延装置以二乙基锌和水为前驱体制备的ZnO外延层和多晶膜的性能
机译:以立方SiC为中间层降低Si上外延GaN膜的应力
机译:磁控溅射在ZnO缓冲层上生长的外延GaN薄膜的HRXRD研究
机译:用于制造二元层状氧化锰纳米粒子二元层膜的双火焰装置的设计和开发
机译:使用含含唑酮的聚合物的纤维的官能化:逐层制造在头发和纤维素的材料表面上的反应性薄膜的制造
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机译:alN,GaN和siC薄膜的选定能量外延沉积(sEED)和低能电子显微镜(LEEm)