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缩略语对照表
第一章 绪论
1.1 金刚石材料特性及发展
1.2金刚石场效应晶体管器件的发展
1.3本文研究工作及安排
第二章实验方法及原理
2.1微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)系统
2.2材料表征设备及原理
2.3氢终端金刚石表面导电原理[87]
2.4本章小结
第三章 金刚石材料生长及表征
3.1 单晶金刚石生长及表征
3.2多晶金刚石生长及表征
3.3本章小结
第四章 氢终端金刚石MESFET器件研究
4.1氢终端金刚石表面处理
4.2器件版图设计与工艺流程
4.3器件欧姆接触电阻
4.4器件特性与分析
4.5本章小结
第五章 MoO3栅介质的金刚石MOSFET研究
5.1引言
5.2单晶金刚石MoO3介质MOSFET器件
5.3多晶金刚石MoO3介质MOSFET器件研究
5.4本章小结
第六章 金刚石Al2O3介质MOSFET器件研究
6.1引言
6.2器件工艺流程
6.3器件特性研究
6.4本章小结
第七章 总结与展望
参考文献
致谢
作者简介
西安电子科技大学;