摘要
符号说明
前言
1 绪论
1.1 多晶硅的分类及用途
1.2 多晶硅市场分析
1.2.1 国际多晶硅市场分析
1.2.2 国内多晶硅市场分析
1.2.3 多晶硅市场发展趋势
1.3 多晶硅生产工艺技术分析
1.3.1 多晶硅生产工艺技术综述
1.3.2 多晶硅生产工艺技术发展趋势
1.4 FB-CVD法制多晶硅研究进展
1.4.1 CVD技术原理及应用
1.4.2 FB-CVD法生产多晶硅的原理
1.4.3 多晶硅FB-CVD研究进展
1.5 CFD在流态化CVD领域的应用
1.5.1 CFD简介
1.5.2 Mfix简介
1.5.3 CFD在流态化CVD过程的研究进展
1.5.4 计算模型简介
1.6 偏微分方程求解的数值方法
1.6.1 网格化方法
1.6.2 离散化方法
1.7 课题背景与研究内容
1.7.1 课题背景
1.7.2 课题研究内容
2 硅氢化合物热力学数据库的建立
2.1 无定形硅粉的组成及分子结构
2.1.1 无定形硅粉的组成
2.1.2 硅氢化合物分子结构
2.2 硅氢化合物热力学数据的计算
2.2.1 硅氢化合物基团因子及所占比重
2.2.2 硅氢化合物热力学数据计算值
2.3 硅氢化合物热力学数据在Mfix中的存储
2.3.1 Mfix热力学数据存储格式
2.3.2 热力学数据矩阵系数计算方法
2.3.3 热力学数据矩阵系数计算结果
2.3.4 计算物性的校验
2.4 硅氢化合物热力学数据库的建立
2.5 本章小结
3 流态化多晶硅CVD反应模型和传递模型的耦合
3.1 多晶硅CVD反应机理
3.1.1 表面化学反应机理
3.1.2 气相反应机理
3.2 多晶硅CVD反应的反应动力学
3.2.1 多晶硅CVD速率
3.2.2 气相反应速率
3.3 反应模型与传递模型的耦合
3.3.1 反应模型与质量传递模型的耦合
3.3.2 反应模型与热量传递模型的耦合
3.3.3 反应模型与动量传递模型的耦合
3.4 本章小结
4 流态化多晶硅CVD数学模型的求解与验证
4.1 数学模型的控制方程
4.2 数学模型的求解
4.2.1 网格划分方法
4.2.2 控制方程的离散
4.2.3 离散方程的求解
4.3 Caussat实验数据对比
4.3.1 物理模型
4.3.2 初始及边界条件
4.3.3 模拟与实验条件
4.3.4 结果与讨论
4.4 Hsu实验数据对比
4.4.1 物理模型
4.4.2 初始及边界条件
4.4.3 模拟与实验条件
4.4.4 结果与讨论
4.5 本章小结
5 工艺条件对流态化多晶硅CVD过程的影响
5.1 流化床反应器几何模型
5.2 边界条件
5.3 物性参数
5.4 流态化多晶硅CVD特性的研究
5.4.1 床内硅粉颗粒瞬时体积分数
5.4.2 反应器轴向固分率分布情况
5.4.2 CVD速率随反应时间的变化
5.4.3 CvD反应速率随反应器轴向高度的变化
5.5 工艺条件对流态化多晶硅CVD过程的影响
5.5.1 进口硅烷浓度对多晶硅CVD过程的影响
5.5.2 进口气速对多晶硅CVD过程的影响
5.5.3 温度对多晶硅CVD过程的影响
5.5.4 压力对多晶硅CVD过程的影响
5.6 本章小结
6 气相分布
6.1 反应器内气相质量分数分布
6.2 反应器出口处气相质量分布情况
6.3 反应器出口处气相速度分布和温度分布情况
6.4 反应器轴向气相质量分布情况
6.5 本章小结
结论与展望
参考文献
附录
致谢
攻读学位期间发表的学术论文目录
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