Department of Electrical Engineering and Physics Department, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA;
机译:由于使用了AlN量子点缓冲层,改善了在蓝宝石衬底上生长的GaN外延膜的结晶度
机译:在GaAs衬底上通过Al_xGa_1-xAs和In_xGa_1-xAs缓冲层通过分子束外延生长的ZnSe薄膜的晶体质量和Ga偏析的研究
机译:使用岛状GaN缓冲剂在蓝宝石衬底上生长GaN晶体,该GaN缓冲剂是通过重复进行薄层低温沉积和射频等离子体分子束外延退火而形成的
机译:随着量子点作为在蓝宝石衬底上生长的缓冲层,通过分子束外延在蓝宝石衬底上改善GaN膜的晶体质量
机译:通过反应分子束外延和材料表征,在蓝宝石衬底上生长纤锌矿型氮化镓外延膜。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过分子束外延在蓝宝石衬底上生长的GaN中的量子点减少缺陷
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构