IBM Semiconductor Research and Development Center 2070 Route 52 Hopewell Junction, New York 12533 USA;
机译:商业200mm增强信号完整性高电阻率SOI基板上SOI CMOS技术的RF性能
机译:部分耗尽的0.18- / spl mu / m SOI / CMOS技术的高频性能在低电源电压下对寄生元件的影响
机译:结合ZTC和增益提升技术的SOI CMOS OTA性能。
机译:1.95GHz 28dBm全集成封装功率放大器,采用H9SOIFEM CMOS 130nm设计,具有80%的3G FOM(PAE + ACLR):开发优化的高性能RF SOI功率单元
机译:SOI-CMOS和本体CMOS中模拟电压比较器的性能分析
机译:偏移像素孔径宽度对深度提取单色CMOS图像传感器性能的影响
机译:BEOL对SOI180,SOI90和CMOS180,CMOS90技术的影响对IC性能影响
机译:63-meV,1-mrad(si)质子辐照后0.35-(μm)sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能