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The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco
The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco
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1.
WAFER BONDING FOR OPTICAL MICROSYSTEMS
机译:
光学微系统的晶圆键合
作者:
E. Hiller
;
D. Stolze
;
M. Wiegand
;
V. Dragoi
;
M. Reiche
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
2.
A COMPARISON OF INTERFACIAL FRACTURE ENERGY OF BONDED WAFERS USING MICRO-INDENTATION AND CRACK PROPAGATION TECHNIQUES
机译:
微压痕和裂纹扩展技术比较键合晶片的界面断裂能
作者:
C. A. Colinge
;
M.C. Shaw
;
R.H. Esser
;
K.D. Hobart
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
3.
BONDING STRENGTH AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF Si/Si, Si/InP AND Si/GaAs INTERFACES BONDED BY SURFACE ACTIVATED BONDING AT ROOM TEMPERATURE : INFLUENCES OF SPUTTERING TIME AND ENERGY
机译:
室温下表面活化键合形成的Si / Si,Si / InP和Si / GaAs界面的键合强度和电学特性:溅射时间和能量的影响
作者:
M. M. R. Howlader
;
T. Watanabe
;
T. Suga
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
4.
BONDED POLYCRYSTALLINE SiC SUBSTRATES FOR THE GROWTH AND FABRICATION OF GaN FETS
机译:
结合的多晶碳化硅基体,用于GaN FET的生长和制造
作者:
K.D. Hobart
;
F.J. Kub
;
R. Esser
;
G.G. Jernigan
;
M. Fatemi
;
S.C. Binari
;
D.S. Katzer
;
H.B. Dietrich
;
G. Kipshidze
;
S. Nikishin
;
H. Temkin
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
5.
EFFECT OF ANODIC BONDING ON RELIABILITY OF SENSORS AND MOS CIRCUITRY
机译:
阳极键合对传感器和MOS电路可靠性的影响
作者:
K. Schjolberg-Henriksen
;
A. B. Hanneborg
;
G. U. Jensen
;
A. C. Lapadatu
;
H. Jakobsen
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
6.
FABRICATION PROCESS AND PLASTICITY OF GOLD-GOLD THERMOCOMPRESSION BONDS
机译:
金-金热压键合的制备过程和塑性
作者:
Christine H. Tsau
;
Martin A. Schmidt
;
S. Mark Spearing
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
7.
ELECTRICAL AND STRUCTURAL INVESTIGATION OF BONDED SILICON INTERFACES
机译:
硅键合界面的电气和结构研究
作者:
A. Reznicek
;
S. Senz
;
O. Breitenstein
;
R.Scholz
;
U. Goesele
;
F.-J. Niedernostheide
;
H.-J. Schulze
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
8.
EFFECTS OF PLASMA ACTIVATION ON HYDROPHILIC BONDING OF Si AND SiO_2
机译:
等离子体活化对Si和SiO_2亲水键合的影响
作者:
T. Suni
;
K. Henttinen
;
I. Suni
;
J. Maekinen
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
9.
FACTORS AFFECTING STRESS-INDUCED DEFECT GENERATION IN TRENCHED SOI FOR HIGH-VOLTAGE APPLICATIONS
机译:
高压应用中沟槽SOI中应力诱发缺陷产生的影响因素
作者:
W.A. Nevin
;
K. Somasundram
;
P. McCann
;
X. Cao
;
S. Byrne
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
10.
FAST SILICON TO SILICON WAFER BONDING WITH AN INTERMEDIATE GLASS FILM
机译:
用中间玻璃膜将硅快速粘合到硅晶圆上
作者:
M. M. Visser
;
D. T. Wang
;
A. B. Hanneborg
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
11.
ONE MICRON WAFER TO WAFER ALIGNMENT FOR 3D INTERCONNECTING DEVICE INTEGRATION
机译:
一次微晶片晶圆对准,用于3D互连设备集成
作者:
C. Brubaker
;
T. Glinsner
;
P. Lindner
;
C. Schaefer
;
M. Tischler
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
12.
MICRO-REFLECTOR LIGHT-EMITTING DIODES WITH BURIED MIRROR
机译:
埋入式反射镜的微反射器发光二极管
作者:
Stefan Illek
;
Ulrich Jacob
;
Andreas Ploessl
;
Peter Stauss
;
Klaus Streubel
;
Walter Wegleiter
;
Ralph Wirth
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
13.
High Performance CMOS on SOI
机译:
SOI上的高性能CMOS
作者:
I. Y. Yang
;
S. Fung
;
J. Sleight
;
S. Narasimha
;
N. Zamdmer
;
P. Smeys
;
J. Welser
;
P. Agnello
;
E. Leobandung
;
G. Shahidi
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
14.
HIGH PRESSURE SENSOR BASED ON FUSION BONDING
机译:
基于熔合的高压传感器
作者:
K. Birkelund
;
M. Sorensen
;
S. Chiriaev
;
P. Gravesen
;
P.B.Rasmussen
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
15.
WHY DOES A PLASMA TREATMENT PRIOR TO THE WAFER DIRECT BONDING INCREASE THE BONDING ENERGY OF SILICON WAFER PAIRS IN THE LOW-TEMPERATURE RANGE?
机译:
为什么在晶片直接键合之前进行等离子体处理会增加低温范围内硅晶片对的键合能量?
作者:
M. WIEGAND
;
M. REICHE
;
G. KRAEUTER
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
16.
WAFER BONDING USING OXYGEN PLASMA TREATMENT IN RIE AND ICP RIE
机译:
RIE和ICP RIE中氧等离子体处理的晶圆键合
作者:
Anke Sanz-Velasco
;
Petra Amirfeiz
;
Stefan Bengtsson
;
Cindy Colinge
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
17.
ANODIC BONDING FOR MEMS (invited)
机译:
MEMS阳极键合(受邀)
作者:
H. Jakobsen
;
A. Lapadatu
;
G. Kittilsland
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
18.
An investigation into interfacial oxide in direct silicon bonding
机译:
直接硅键合中界面氧化物的研究
作者:
P. McCann
;
S. Byrne
;
W.A. Nevin
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
19.
A Si/SiO_2/Si HETEROSTRUCTURE BARRIER VARACTOR DIODE MADE BY
机译:
制备的Si / SiO_2 / Si异质结变阻二极管。
作者:
WAFER BONDING
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
20.
CURRENT STATUS AND FUTURE DIRECTIONS OF SOI TECHNOOGY
机译:
SOI技术的现状与未来方向
作者:
Makoto Yoshimi
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
21.
Device Applications Using Bonded Thick SOI Wafers
机译:
使用键合厚SOI晶圆的器件应用
作者:
Seiji Fujino
;
Shigeki Takahasi
;
Tsuyoshi Fukada
;
Hiroaki Himi
;
Kazunori Kawamoto
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
22.
IMPROVED LOW TEMPERATURE HYDROPHOBIC Si-Si BONDING TECHNIQUES
机译:
改进的低温憎水Si-Si键合技术
作者:
R. Esser
;
K.D. Hobart
;
F.J. Kub
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
23.
SCALABLE POTENTIAL AND VOLUME PRODUCTION IN ELTRAN~(~R); SOI-EPI WAFERS~(TM)
机译:
ELTRAN〜(〜R)中可伸缩的潜力和大量生产; SOI-EPI WAFERS〜(TM)
作者:
Kiyofumi Sakaguchi
;
Takao Yonehara
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
24.
SILICON-DIRECT WAFER BONDING FOR FABRICATION OF RF MICROWAVE DEVICES
机译:
硅直接晶圆键合,用于制造射频微波设备
作者:
Iqbal K. Bansal
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
25.
OVERVIEW ON SOME RECENT ADVANCES IN WAFER BONDING TECHNOLOGIES
机译:
晶圆键合技术的一些最新进展概述
作者:
H. Moriceau
;
F. Fournel
;
O. Rayssac
;
A.M. Cartier
;
C. Morales
;
S. Pocas
;
M. Zussy
;
E. Jalaguier
;
B. Biasse
;
B. Bataillou
;
A.M. Papon
;
C. Lagahe
;
B. Aspar
;
C. Maleville
;
F. Letertre
;
B. Ghyselen
;
T. Barge
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
26.
WAFER BONDING USING LOW-K DIELECTRICS AS BONDING GLUES IN THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION
机译:
在三维集成中将低K介电体用作粘合胶进行晶圆键合
作者:
Y. Kwon
;
J.-Q. Lu
;
R.J. Gutmann
;
R.P. Kraft
;
J.F. McDonald
;
T.S. Cale
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
27.
UHV-BONDING: ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF INTERFACES AND APPLICATION TO MAGNETOELECTRONICS
机译:
超高压粘结:界面的电学表征及其在电磁学中的应用
作者:
S. Senz
;
A. Reznicek
;
T. Akatsu
;
G. Kaestner
;
R. Scholz
;
U. Goesele
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
28.
SURFACE TREATMENT OPTIMISATION FOR QUARTZ DIRECT BONDING
机译:
石英直接粘结的表面处理优化
作者:
OE. Vallin
;
B. Einefors
;
C. Hedlund
会议名称:
《The Sixth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications Sep, 2001 San Francisco》
|
2001年
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