超高速高精度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术

摘要

技术概览 第二三代完全电介质绝缘的互补SiGe BiCMOS工艺(BiCom 3)是针对超高速高精度模拟集成电路而设计的。上述器件的工作电压为5V，可在广泛的温度范围内工作，其fT的范围为15～20GHz，fmax的值在40～50GHz的范围，最小化了集电极到基板的寄生现象。fT的值反应出其性能比前一代互补技术提高了近三倍。