LPM, INSA de Lyon, UMR-CNRS-5511, Bat. Blaise Pascal, 7 avenue Jean Capelle 69621 VILLEURBANNE CEDEX, France;
机译:InAs / GaAs 1.3μm量子点宽带超发光发光二极管的设计,生长,制造和表征
机译:GaAs衬底的辅助脱氧,用于单个InAs / GaAs量子点发射极的生长
机译:通过金属有机化学气相沉积法直接在GaAs基质中生长的1.31μmInGaAs量子点发光二极管
机译:在1.31μm发光的GaAs(100)上的INAS量子点的生长和表征
机译:GaAs(100)上应变InAs岛量子盒的分子束外延生长:生长动力学,垂直自组织和激光特性
机译:激发出的InAs / GaAs量子点的光学表征该量子点发出在〜1μm处有多个峰的宽带光谱
机译:以1.55 µm发射的单个InAs / InGaAsP / InP(100)量子点的光学特性
机译:用于量子信息处理的低密度Inas / Gaas量子点(QD)的生长和表征