法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-03
避免重复授予专利权 IPC(主分类):H01L21/20 授权公告日:20160120 放弃生效日:20180622 申请日:20150629
避免重复授权放弃专利权
2016-01-20
授权
授权
机译: 由锌混合型(也称为“立方晶型”)形成的母晶体中含有纳米点(也称为“量子点”)的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体(y [[□]] [≧ [0,x> 0)生长在Si衬底上,以及使用该衬底的发光器件(LED和LD)
机译: 具有梯度成分的GaAsSb层可降低InAs / GaAs量子点中的应力
机译: 具有梯度成分的GaAsSb层可降低InAs / GaAs量子点中的应力