Groupe d'Etude des Semiconducteurs, UMR 5650 CNRS-UM2, 34095 Montpellier, France;
rnGroupe d'Etude des Semiconducteurs, UMR 5650 CNRS-UM2, 34095 Montpellier, France;
rnGroupe d'Etude des Semiconducteurs, UMR 5650 CNRS-UM2, 34095 Montpellier, France;
rnGroupe d'Etude des Semiconducteurs, UMR 5650 CNRS-UM2, 34095 Montpellier, France;
rnInstitute of Photonics, SUP A, University of Strathclyde, 106 Rottenrow, Glasgow G4 ONW, UK;
rnInstitute of Photonics, SUP A, University of Strathclyde, 106 Rottenrow, Glasgow G4 ONW, UK;
rnDepartment of Physics, SUP A, University of Strathclyde, 107 Rottenrow, Glasgow G4 ONG, UK;
rnDepartment of Physics, SUP A, University of Strathclyde, 107 Rottenrow, Glasgow G4 ONG, UK;
rnOptoelectronics Research Group, Department of Electronics and E University, Glasgow, G12 8LT,;
photonic crystal; pyramid; phonon; terahertz;
机译:选择性生长的GaN微型金字塔阵列的光子和光频声子特性研究
机译:光子和声子在包含In_xGa_(1-x)N量子阱结构的GaN金字塔选择性生长的光子晶体中的光子和声子的角分散
机译:原子迁移对选择性MOVPE生长的AlGaN / GaN微金字塔起皱形貌的影响
机译:选择性地生长GaN微金字塔的阵列:光子和光学频率声音性能
机译:甘油基纳米线异质结构的选择性区域外星应用在光子和电子器件中的应用
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:研究选择性生长的微珠的阵列的光子和光频声子特性