机译:采用高压微波等离子体氧化技术的低界面陷阱密度的高迁移率SiC MOSFET
机译:退火电子束辐照的高迁移率金属氧化物硅晶体管中的浅Si / SiO_2界面陷阱
机译:界面陷阱对替代性高迁移率衬底上MOS器件栅极C-V特性的建模影响
机译:界面陷阱对高迁移渠道性能的影响
机译:从界面陷阱处复合电流的线形中提取亚微米MOS晶体管中的沟道杂质浓度分布
机译:揭示光电化学性能与界面孔俘获的关系
机译:在电子束辐照下退火浅si / siO $ _2 $界面陷阱 高迁移率金属氧化物硅晶体管
机译:mHD通道中的对流传热及其对通道性能的影响