机译:In_(0.7)Ga_(0.3)As / InAs / In_(0.7)Ga_(0.3)As / InAs / In_(0.7)Ga_(0.3)As双通道双栅极HEMT的薄层载流子密度和Ⅰ-Ⅴ分析应用领域
机译:片载体密度和Ⅰ-ⅴIN_(0.7)GA_(0.3)的分析为/ INAS / IN_(0.7)GA_(0.3)为/ INAS / IN_(0.7)GA_(0.3)作为THZ的双通道双栅极HEMT应用程序
机译:硅和In $ _ {rm 0.3} $ Ga $ _ {rm 0.7} $ As体MOSFET的极限沟道定标的蒙特卡洛研究
机译:SI和IN_(0.3)GA_(0.7)的频道缩放为散装MOSFET:蒙特卡罗研究
机译:压电瘤应用Pb(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜对缩放效应对缩放效应的影响
机译:并发蒙特卡洛输运和通过注量调整可扩展输运量的通量优化
机译:蒙特卡罗模拟高性能无植入In 0.3 sub> Ga 0.7 sub>纳米mOsFET,用于低功耗CmOs应用
机译:光谱椭偏法研究区域中心量子限制效应研究单(al)(0.3)Ga(0.7)as / Gaas / al(0.3)Ga(0.7)as,方形量子阱的介电函数